专利名称：成膜方法和成膜装置专利类型：发明专利发明人：大仓成幸,山中孟申请号：CN201380035584.X申请日：20130611公开号：CN104471106A公开日：20150325
摘要：在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P。在步骤3的稳定化步骤中，一边将运载气体导入原料容器(60)内，一边使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化。在步骤4的成膜步骤中，经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内，利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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