专利名称：中低温烧结半导体陶瓷的组成和制备方法专利类型：发明专利
发明人：李龙土,王德君,桂治轮申请号：CN96106337.8申请日：19960621公开号：CN1143619A公开日：19970226
摘要：本发明涉及一种中低温烧结半导体陶瓷，该半导体陶瓷的一般式为(SrPb)TiO其中X=0.1～0.9，y=0.8～1.2。配方主成分中，含有Sr、Pb和Ti等金属元素，总含量为85～99.9mol％，半导化元素含量为0.01～3mol％，添加剂含量为0.1～12mol％。其制备工艺包括配料、球磨、烘干、预烧、粉碎、干燥和烧结。另一种制备工艺包括配料、共沉淀、洗涤、分散、烘干、煅烧和烧结等。本发明制备的陶瓷具有典型的PTC特性，而且室温电阻率低，升阻比高，耐压强度大。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区清华园
国籍：CN
代理机构：清华大学专利事务所
代理人：罗文群
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