专利名称：一种双芯体复合硅压阻压力传感器数据融合方法专利类型：发明专利
发明人：韩士超,赵莹,王希洋,朱晓,谢耀,柏楠申请号：CN202011054177.1申请日：20200930公开号：CN112345127A公开日：20210209
摘要：本发明提供了一种双芯体复合硅压阻压力传感器数据融合方法，该方法包括：在第一芯体压力量程的全压力范围和全温度范围内建立第一芯体的拟合模型和第二芯体的拟合模型；基于第一芯体的拟合模型获取待测环境的第一解算压力值；基于第二芯体的拟合模型获取待测环境的第二解算压力值；将第二解算压力值与第二芯体压力量程的最大值进行比较，并根据比较结果确定待测环境的输出压力值；其中，第一芯体压力量程的最大值大于第二芯体压力量程的最大值。应用本发明的技术方案，以解决现有的硅压阻压力传感器无法同时满足小体积和分段量程不同精度的技术问题。
申请人：北京自动化控制设备研究所
地址：100074 北京市丰台区云岗北里1号院3号楼
国籍：CN
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