专利名称:一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法专利类型:发明专利
发明人:蔡成林,秦懿,李思敏,王京辉,王亮亮,刘昌盛,张炘,卢
亚军
申请号:CN201510611230.6申请日:20150922公开号:CN105182367A公开日:20151223
摘要:本发明公开了一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法,根据电离层在小区域内具有良好的空间相关性的特点,搜索出电离层穿刺点距离在100Km内的BDS与GPS卫星,用户解算出此刻搜索到的GPS卫星电离层穿刺点电子浓度,再将解算值与搜索出的BDS卫星电离层穿刺点电子浓度近似相等,得到BDS卫星电离层穿刺点处的电子浓度(VTEC),再通过倾斜因子转化为站-星斜向电离层含量(TEC)。本发明可精确提取BDS卫星电离层穿刺点的电子浓度,解决BDS系统在我国区域电离层精确改正的问题。
申请人:桂林电子科技大学
地址:1004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
国籍:CN
代理机构:桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
代理人:杨雪梅
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