制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片[发明专利]

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专利名称：制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片专利类型：发明专利发明人：肖俊峰,李岩,石刚申请号：CN202011592701.0申请日：20201229公开号：CN112599619A公开日：20210402

摘要：本发明涉及一种制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片。所述方法包括如下步骤：在硅片的底表面上设置凹凸结构；在硅片的底表面上设置氧化硅层，以使得氧化硅层的底表面形成和硅片的底表面相一致的凹凸结构；沉积非晶硅层；加热非晶硅层，以使得熔融的非晶硅层固化结晶而形成掺杂多晶硅层。本发明中，通过在硅片的底表面上形成凹凸结构，能够使非晶硅层按预设的方向结晶，最终形成的掺杂多晶硅层的晶粒的晶界大多倾向于垂直于硅片的方向，形成的掺杂多晶硅层的晶粒尺寸大，载流子迁移率高。

申请人：成都晔凡科技有限公司

地址：610041 四川省成都市高新区世纪城南路599号天府软件园D区6栋505号

国籍：CN

代理机构：北京市金杜律师事务所

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