专利名称：提供一种在电介质叠层具有蚀刻区域的有机垂直腔
激光阵列装置
专利类型：发明专利发明人：K·B·卡亨
申请号：CN200410061743.6申请日：20040630公开号：CN1610198A公开日：20050427
摘要：制造有机垂直腔激光阵列装置的方法，该方法包括提供基质和底部电介质叠层的第一部分，该底部电介质叠层反射跨越预定波长范围的光，并且被布置于基质上；为限定一系列被间隔的激光象元阵列，其比象元间区域具有更高反射比以便阵列发射激光，在底部电介质叠层的第一部分的上表面形成蚀刻区域；在被蚀刻的第一部分上形成底部电介质叠层的第二部分。该方法也包括为产生激光在底部电介质叠层的第二部分上形成活性区，并且在活性区上形成顶部电介质叠层，其被从底部电介质叠层隔开且反射预定波长范围的光。
申请人：伊斯曼柯达公司
地址：美国纽约州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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