基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器[发明专利]

来源：六九路网

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专利名称：基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器专利类型：发明专利

发明人：于洋,覃尚鹏,杨俊波,张振荣,孟洲申请号：CN202011456795.9申请日：20201210公开号：CN1126119A公开日：20210406

摘要：本发明公开基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，包括：输入部、分束区域、传感区域；输入部包括两个输入光纤、两个输入光纤空间光准直器；两个输入光纤分别与两个输入光纤空间光准直器对应连接；分束区域包括两个偏振立方晶体分束器、吸光片；两个偏振立方晶体分束器分别与两个输入光纤空间光准直器对应连接；吸光片贴合于偏振立方晶体分束器的出射光面；传感区域包括分别为设于Y轴、Z轴、X轴方向上的三个传感部，三个传感部，分别与偏振立方晶体分束器连接。本发明能够有效改善磁场三维机械校准误差，进而解决了矢量磁场传感器的三维非正交问题，结构紧凑，同时实现了高灵敏度磁场传感功能。

申请人：中国人民国防科技大学

地址：410028 湖南沙市开福区德雅路109号

国籍：CN

代理机构：北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：王颖

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