您的当前位置：首页一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其低温制备方法[发明专利]

一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其低温制备方法[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其低温制备

方法

专利类型：发明专利

发明人：张金咏,尚珊珊,张帆,王为民,傅正义,王玉成申请号：CN201810241101.6申请日：20180322公开号：CN1085296A公开日：20180914

摘要：本发明涉及一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其制备方法，所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物由Co、Cr、Cu、Ni、Al和O元素组成；所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物为单一尖晶石晶型，其空间群为Fd‑3m。本发明提供了一种新型的熵稳定氧化物材料，即(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物，并且本发明提供的(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物采用低温液相法在相对较低温的条件下制备得到，煅烧温度为300±50℃，制备过程能耗低。

申请人：武汉理工大学

地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

国籍：CN

代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文