专利名称：评价方法以及半导体装置的制造方法专利类型：发明专利
发明人：新村康,宍户秀聪,岛藤贵行,新井利浩申请号：CN201611233526.X申请日：20161228公开号：CN107045995A公开日：20170815
摘要：本发明容易地评价半导体元件的反馈电容。提供一种评价方法，该评价方法为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，具备：特性取得阶段，取得与反馈电容相关的第1特性和与反馈电容相关的第2特性；评价阶段，基于第1特性和第2特性评价反馈电容。第1特性可以为与半导体元件的耐压对应的特性，第2特性可以为半导体元件的导通电阻。在评价阶段中，可以基于第1特性和第2特性之比来评价反馈电容。
申请人：富士电机株式会社
地址：日本神奈川县川崎市
国籍：JP
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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