一种半导体器件结构及其制造方法[发明专利]

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专利名称：一种半导体器件结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：周华杰,徐秋霞申请号：CN201110212808.2申请日：20110727公开号：CN102903749A公开日：20130130

摘要：本申请公开了一种半导体器件结构及其制造方法，该方法包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。本发明采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：朱海波

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