专利名称：散热集成的电路芯片及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：孙海燕,葛明敏,赵继聪,黄静,孙玲,方家恩,彭一弘申请号：CN201910079338.3申请日：20190128公开号：CN109671685A公开日：20190423
摘要：本发明提供散热集成的电路芯片，包括SOI片，SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅，SOI片纵向设置多个垂直通孔，垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅，各垂直通孔内均设置导电导热柱，导电导热柱底端裸露于底层硅下表面，垂直通孔内侧壁设置电学隔离层，至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部，电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路，至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本发明具有优异的散热性能，可与各种集成电路整合。另一方面，本发明还提供了上述芯片的制作方法。
申请人：南通大学,成都芯锐科技有限公司
地址：226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号
国籍：CN
代理机构：江苏隆亿德律师事务所
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