专利名称：嵌入式存储元件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：廖修汉,庄哲辅申请号：CN201310350033.4申请日：20130812公开号：CN104377202A公开日：20150225
摘要：本发明公开了一种嵌入式存储组件及其制造方法，该嵌入式存储组件包括栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的栅极结构的两侧的衬底中。第一接触窗插塞位于衬底上，与源极区接触。第二接触窗插塞位于衬底上，与漏极区接触。第一接触窗插塞的顶面高度低于第二接触窗插塞的顶面高度。介电层在第一接触窗插塞以及第二接触窗插塞周围，且介电层中具有凹陷，裸露出第一接触窗插塞。填充层位于凹陷中。导体层位于衬底上，导体层与第二接触窗插塞接触，且导体层通过填充层与第一接触窗电性隔绝。利用移除位于源极区上的部分接触窗插塞，于形成的凹陷中回填填充层隔绝，可以省去形成介层窗的步骤，且可免除介层窗与接触窗叠对的问题。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
国籍：CN
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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