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制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所得器件[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所

得器件

专利类型：发明专利

发明人：张崇健,陈耿川,薛永蔚,弗拉基米尔·鲁道夫,林超申请号：CN01143693.X申请日：20011219公开号：CN1367528A公开日：20020904

摘要：垂直半导体整流器件,它包括的第一导电类型衬底在其第一主面上绝缘地形成有多个栅电极,同时在此第一主面的与栅电极相邻的第二导电类型表面区中形成有多个第一导电类型的源/漏区。有许多第二导电类型的沟道,各毗连一源/漏区并于一栅电极下延伸,各沟道由使此沟道区与第一导电类型衬底相分开的倾斜P－N结使其横向缓变。在制造此器件时,由具有倾斜表面的掩模于此半导体表面上形成部分离子掩模,此倾斜表面改变了离子通过此掩模的路径而形成横向缓变的沟道区。

申请人：先进功率半导体股份有限公司

地址：美国加利福尼亚

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王永刚

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