溅射制作埋嵌电阻的TaN薄膜电阻率的控制

印制电路信息２０１０　Ｎｏ．１２　集成元件ＰＣＢ　ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＰＣＢ　溅射制作埋嵌电阻的ＴａＮ薄膜电阻率的控制　白亚旭袁正希何为编译　（电子科技大学微固学院应用化学系，四川成都６１００５４）　何波莫芸琦　（珠海元盛电子股份有限公司，广东珠海５１９０６０）　摘要　文章介绍的是由射频（ＲＦ）溅射反应沉淀制备的ＴａＮ薄膜，以及在各种Ｎ　／Ａｒ气流比例和工作压力下测试其　电阻率变化。从ｘ射线衍射（Ｘ－ＲＤ）图像和四点探针测试仪测试的ＴａＮｘ薄膜方块电阻来看。研究发现，ＴａＮｘ薄膜电阻率　发生突变的原因主要是由于Ｎ　分压的作用而使ＴａＮｘ薄膜晶体结构发生了变化。当六边形结构的ＴａＮ薄膜变成面心立方行　结构时，薄膜电阻从１　６　Ｑ／ｓｑ增加到１　３９６　Ｑ／ｓｑ。但是，在晶体结构不变和一定的工作压力范围内，我们能把ＴａＮ薄膜　的电阻率控制在６９　ｏ／ｓｑ￣ｑ　８７　５　Ｑ／ｓｑ范围内　在扫描电子显微镜（ＳＥＭ）成像中，晶粒尺寸随着＿Ｔ－作压力的增加将会有　所减小。　关键词　氮化钽；电阻率；方块电阻；溅射反应　中图分类号：ＴＮ４１　文献标识码：Ａ　文章编号：１００９—００９６（２０１０）１２—００５５—０４　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　ｎｔｒｏｌ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　；ｉｓｔｉｖｉ‘ｖｉ￣　０ｔ。ａ　＿　０ｆ　Ｔａ～ｔｈｉｎ　ｆ１　Ｎ　ｔｈｉｎ　ｌｉｉｌｍｓ　ｌｍ　ｂｙｒｅａｃｔｉｖｅｓＰｕｔｔｅｒｉｎＲ　Ｉｏｒ　ｅｍＤｅｎｄｅｎ　ＤａＳＳＩＶｅ　ｒｅｓｉｓｔ０ｒＳ　・●　－　ｎ　■　ｌ　Ｔ　ｌ　●　‘　・　ＢＡＩ　Ｙａ－ｘｕ　ＹＵＡＮＺｈｅｎｇ－ｘｉ　ＨＥ　Ｗｅｉ　ＨＥ　Ｂｏ　ＭＯ　Ｙｏｎ－ｑｉ　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｔａｎｔａｌｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｒａｄｉｏ　ｒｆｅｑｕｅｎｃｙ（ＲＦ）ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕ￣ｅｆｉｎｇ　ａｔ　ｖａｒｉｏｕｓ　Ｎ２／Ａｒ　ｇａｓ　ｆｌｏｗ　ｒａｔｉｏｓ　ａｎｄ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ　ｔｏ　ｅｘａｍｉｎｅ　ｔｈｅ　ｃｈａｎｇｅ　ｏｆ　ｔｈｅｉｒ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ．Ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　Ｘ—ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）ａｎｄ　ｆｏｕｒ－ｐｏｉｎｔ　ｐｒｏｂｅ　ｓｈｅｅｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＴａＮｘ　ｆｉｌｍｓ，ｉｔ　ｗａｓ　ｆｏｕｎｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｃｈａｎｇｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＴａＮｘ　ｆｉｌｍｓ　ａｓ　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｎ２　ｐａｒｔｉａｌ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｃａｕｓｅｄ　ａｎ　ａｂｒｕｐｔ　ｃｈａｎｇｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｙｔ．Ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｈｅｘａｇｏｎａｌ　ｓｔｒｕｃ￣ｒｅ　ＴａＮ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｃｈａｎｇｅｄ　ｔｏ　ａｎ　ｆ．ｃ．Ｃ．ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｔｈｅ　ｓｈｅｅｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｆｒｏｍ　ｌ　６　Ｄ．／ｓｑ　ｔｏ　１　３９６　ｆ￣／ｓｑ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｗｅ　ｗｅｒｅ　ａｂｌｅ　ｔｏ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＴａＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｒａｎｇｅ　ｆｒｏｍ　６９　ｆ￣／ｓｑ　ｔｏ　８７５　Ｑ／ｓｑ，ｗｉｔｈ　ｎｏ　ｃｈａｎｇｅ　ｉｎ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｗｉｔｈｉｎ　ａ　ｃｅｒｔａｉｎ　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ．Ｔｈｅ　ｓｉｚｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｇｒａｉｎｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＳＥＭ）ｉｍａｇｅｓ　ｓｅｅｍｅｄ　ｔｏ　ｄｅｃｒｅａｓｅ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ　Ｔａｎｔａｌｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ；Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ；Ｔｈｉｎ　ｆｉＩｍ　ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　迄今为止，已有数百万的的埋嵌无源元件被　（ＴａＮ）薄膜将成为前途较好的埋嵌电阻候选材料；　应用于各种形式的电子设备中。随着集成电路技术　因为它们的方块电阻能够达到更高的阻值，并且具　的发展要求，元器件将会向着高性能、小型化、轻　有良好的可靠性。一般来说，氮化钽有许多令人满　薄化的方向发展，以及可靠性更高的嵌入元器件印　意的特性，比如：电阻率随温度变化有较好的稳定　制电路板…。在各种类型的无源元器件中，氮化钽　性、硬度、化学惰性和良好的耐腐蚀性　。ＴａＮ薄　．．５５．．　集成元件ＰＧＢ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ＰＣＢ　印制电路信息２０１０　Ｎｏ．１２　膜　经能够戍用物胛霸１化学　十Ｈ沉淀技术制备。存　这些技术－ｌ】．经常川的足磁　溅射反应，Ｉ　为此方　法能够与集成电路技术中使用的传统余属化方法卡Ｈ　匹配　。许多研究暂的研究表明，由于Ｎ　分压的作用　ｔＬ，立方形ＴａＮ结构ｎ勺特　以及　ｊ此相对应的（１１１）　和（２００）晶粒取向。［｝ｌ１线（ｂ）的　耍波峰表明是　六方形和而心立方形的ＴａＮ薄膜混合物。在这种组成　中，六方形结构　导地位的阶段还并不是十分清　而使ＴａＮｘ薄膜的　能发，卜变化。ＴａＮ薄膜存薄膜电阻　器中的　用受到限制１ｉ要　因足由０。‘’　氮气分压增　大时，ＴａＮ薄　的电　率会突然发　变化，事文　是　楚，然而，向心　方形（２００）取向的ＴａＮ已经在很　多研究叶ｊ都有过报道。在序列形成阶段，六方形ＴａＮ　薄膜的形成　蛰是ｍ所使川的溅射系统以及选用的　儿何外形的决定的　。、　Ｎ，分压进一步增加时，将会　观察到Ｔａ　Ｎ　结构。　［１１。－ＴａＮｘ薄膜品体结构发　了变化川　。　此，通过　改变Ｎ，分压丽扶　的Ｉ乜　牢范　，　的埋嵌电　要求。　满足不ｌ刊类　此，需要考虑使川不　的方法　控制电阻牢的稳定性。　在此项研究中，研究了存‘定的Ｎ，分压作用和　工作压力Ｆ，通过射频（ＲＦ）磁控溅射反应沉淀制　备的ＴａＮ薄膜的力‘块电ｍ的变化差异，并｝ｊ．讨论了晶　体结构、表而形念以及力‘块Ｉｌｌｍ　之『Ｈｊ的笑系；　存晶体结构　变的情况卜，ＴａＮｘ薄膜的方块电阻可　以被精确控制。　１　实验过程　存‘种Ｎ　／Ａｔ气体混合物　｛『＇通过射频磁摔溅射　反应，把ＴａＮｘ薄膜沉　在辟芯片和玻璃　片Ｊ　。两　种气体的纯度为９９．９９９％。溅射系统能为基板午¨磁摔　“２／ｏ　图１在各种不同Ｎ　，Ａｒ＋Ｎ　气流比例和０．１　３Ｐａ的工作　压力下，沉积薄Ｉ］￣ＴａＮ的ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）图形　图２表明的是存各种不问Ｎ，／Ａｒ＋Ｎ，气流比例中用　旺一步骤”表　光沽度测试仪所测试的ＴａＮ薄膜的　ｌ５爿极提供射频偏‘　电源，住沉积ＴａＮｘ薄膜前，使用　Ａｒ气等离了体蚀刻法清沽　饭表面，Ｔａ靶的纯度为　９９．９９％。拱板和磁拧阴极之　的距离是５５　ｍｍ，此距　沉积速率。随着氮气分压从５％增加到１５％，ＴａＮｘ薄　膜的沉　速率从０．４２５　ｎｍ／ｓ降低到０．３０５　ｎｍ／ｓ。溅射速　离被认为能够提供最好的沉积速率和薄膜的均匀性。　底压为２．７×１０。Ｐａ。当维持０．１３　Ｐａ＿Ｔ＝作　力￣１１２ｏ　ｍｉｎ　率的降低呵能足　Ｊ　反应腔条件的变化所引起的，　为所用的能够影响ＴａＮｘ薄膜的沉积速率。一般来　说，随着反Ｊ　气体氮气比例的增人，溅射速率将会　降低。　２也表明了存氮气分压作用＿Ｆ沉积薄膜的方　２００　Ｗ的射频功率时，Ｎ，分　从５％增ＪＪｎ到６０％。然后　在Ｎ，分压为１０％时，我们把　作压力从０．１　３　Ｐａ变化到　１．１９　Ｐａ，由ｒ潜　的　料　饭的应Ｊ１］，革扳不能被　块电ｍ。与　１所表示的ＸＲＤ（　射线衍射）数据相　比较，　氮气分压为５％，１０％，１５％时，ＴａＮ薄膜的　加热。应川ｘ射线光电　能谱仪（ＥＳＣＡ２０００）对儿　集状态下的ＴａＮｘ薄膜进行定景分析；用“ａ一步骤”　结构分别为六方形结构，六方形与面心　方形的混　合，面心　办形结构。　块电阻土要　功于ＴａＮ结构　的变化。随着氯气分　从５％增加￣ｊ９ｏｏ，六方形结构　／的ＴａＮ薄膜的方块电阻将会从１６　Ｑ／口变化到７３　Ｑ／口。　随着氮气分　从ｌ０％增加到１４％，八方形与面心立方　形混合结构的ＴａＮ薄膜的　电阻将会从１４１　Ｑ／口变化　表而光洁度仪测鞋游膜的厚度；川一种ｘ射线衍射仪　（Ｂｒｕｋｅｒ　ＡＸＳ，Ｄ８　Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）检测品仆结构；川ｆ一　种扫描电　显微镜（ＪＥＯＬ，ＪＳＭ６７００Ｆ）观察表面形　态；使川叫探针法测量　块电　。　２结果与讨论　１　示了不川Ｎ，分ＪＫ作　ＴａＮ薄幞的ｘ射线衍　射图形。在　ｌ　ｒｌ＿（ａ）曲线的ｘ衍射线　要波峰足　六边形ＴａＮ结构的特　以及与此相对直的（１１０）和　到１３９６　Ｑ／口。但是，为了能在埋嵌电阻中应用，方　块电阻必须稳定的保持在２５０　Ｑ／口到１０００　Ｑ／口的范　卜豳内。同时，我们也观察剑随着氮气分压从１０％增加　到１５％，ＴａＮ薄膜的方块电阻存２５０　ｆ　口到１０００　Ｑ／口　的范周内将会产　显著地增加。　５６．．　（３００）品粒取向。图１ＬＩ一（Ｃ）曲线的丰耍波峰是面　．．印制电路信息２０１０　Ｎｏ．１２　集成元件ＰＣＢ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ＰＣＢ　的变化是控制ＴａＮ薄膜方块电阻的重要凶素之　。　一　脚　图２在各种不同Ｎ２／Ａｒ＋Ｎ２气流比例和Ｏ．１　３　Ｐａ的工　作压力下。沉积薄膜ＴａＮ的方电阻和溅射速率　图４在氮气分压为１０％，各种不同的工作压力　下沉积ＴａＮ薄膜的ＸＲＤ图形。（ａ）０．３９Ｐａ；　（ｂ　Ｊ　０．６６Ｐａ；（ｃ）０．９３Ｐａ；（ｄ）１．１９Ｐａ　图３表明了在Ｎ，分压作用下，用ｘｅｓ（ｘ射线光电　予光谱法）对ＴａＮｘ薄膜组成的分析。在氮气分压为　１０％时，Ｔａ：Ｎ的比例５３：４７，随着氮气分压的增大，　Ｔａ／Ｎ的比例将会缓慢的降低，然而当氮气分压超过　５０％是Ｔａ／Ｎ将会急剧降低。随着氮气分压的增大，沉　积薄膜Ｎ的总量将会增加；因为氮气的掺杂影响了Ｔａ　最外层原子轨道的化学环境　－ｏｌ。　图５沉积ＴａＮ薄膜的方块电阻　图６显示了各种不同工作压力下ＴａＮ薄膜的ＳＥＭ　（扫描电子显微镜）图像。随着工作压力的增）／ＮＴａＮ　薄膜的晶粒尺寸将会变小，在图６（ａ）中，品粒尺寸　南１００　ｎｍ变化到２００　ｎｍ，并且比其他的图形具有更　随机的分布。　图３在各种不同Ｎ２／Ａｒ＋Ｎ２气流比例中沉积ＴａＮｘ薄　膜中Ｔａ／Ｎ比例，实线代表了这些数据的趋势。　图４表明了在氮气分压固定为１Ｏ％时，各种不同　工作压力下ＴａＮ薄膜的ＸＲＤ（ｘ射线衍射）图形。随　着工作压力由０．１３　Ｐａ增加到１．１９　Ｐａ，ＴａＮ薄膜的相并　没有发生变化。　（１１　１）和（２００）取向的波峰是面　■　【ａ　【ｂ　Ｌｃ　Ｊ　图６在氮气分压固定为１Ｏ％，由于工作压力　的作用沉积的ＴａＮ薄膜的ＳＥＭ图像，（ａ）　０．１３Ｐａ；（ｂ）０．６６Ｐａ：（ｃ）１．１９Ｐａ　心立方形ＴａＮ结构的特性，　（３００）取向的波峰是六　边形ＴａＮ结构的特性，随着工作压力由０．１３　Ｐａ增加到　１．１９　Ｐａ，　（１１１）和（２００）取向的波峰强度将会增强　而（３００）取向的波峰强度将会缓慢的降低。　图５显示了在各种不同工作压力下沉积ＴａＮ薄膜　但是，从图６（ｂ）和（Ｃ）中（在图中晶粒尺寸　分别为大约６５　ｎｍ￣４５　ｎｍ）我们可以推知随着工作　压力的增加晶粒尺寸将会均匀变小。我们认为随着　晶粒尺寸减小而方块电阻增大的原因是由于晶界的　增大而捕获了电子。　的方块电阻。在氮气分压固定在１０％时，工作压力从　０．１３　Ｐａ变化到１．１９　Ｐａ随着工作压力的增加，方电阻从　６９　口增加到８７５　Ｄ．／口，可以观察到随着工作压力的　３结论　本文研究了在一定的Ｎ：分压和工作压力＿Ｆ，通　过射频磁控溅射沉积反应制备的ＴａＮｘ薄膜的方块电　增加方块电阻呈现近似线性的增加趋势。结果表明：　有可能通过调解工作压力来控制方块电阻。工作压力　．．５７．．　集成元件ＰＣＢ　ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＰＣＢ　印制电路信息２０１０　Ｎｏ．１２　附。根据Ｎ，分压的小同，ＴａＮｘ薄膜各阶段分别是　六边形，六边形和而心专：方形的混合以及向心立方　（２００２）：２８９．　［３］Ｄｅｏｋ—ｋｅｅ　Ｋｉｍ，Ｈｅｏｎ　Ｌｅｅ，Ｄｏｎｇｈｗａｎ　Ｋｉｍ，Ｙｏｕｎｇ　Ｋｅｕｍ　Ｋｉｍ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　２８３（２００５）：４０４．　形。随着　分　从５％增加到１　５％，上述结构的方块　电阻将会从１６　口变化到１３９６　口。存Ｎ，分雎　定为　【４】Ｋ．Ｂａｂａ，Ｒ．Ｈａｍｂａ，Ｓｕｒｅ　Ｃｏａｔ．Ｔｅｃｈｎｏ１．８４（１９９６）：４２９．　［５］Ｋ．Ｅｄａ，Ｔ．Ｍｉｗａ，Ｙ．Ｔａｇｕｃｈｉ，Ｔ．Ｕｗａｎｏ，ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｔｅｃｈｎｏ１．Ｔｅｃｈ．３８　ｒｌ９９０）：１９４９．　ｌ０％，六方形和商心立方形混合结构没有变化的情况　下，随着　作压力的增加方块电阻也将会从６９　口增　加￣Ｕ８７５　Ｑ／口。我们发现随着』＿作压力的增加晶粒尺　寸均匀的变小。因此，ＴａＮｘ薄膜的　块电阻能够通　［６】Ｍ．Ｈ．Ｔｓａｉ，Ｓ．Ｃ．Ｓｕｎ，Ｃ．Ｅ．Ｔｓａｉ，Ｓ．Ｈ．Ｃｈｕａｎｇ，　Ｈ＿Ｔ．Ｃｈｉｕ，Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．７９（１　９９６）：６９３２．　［７】Ｓ．Ｋ．Ｋｉｍ，Ｂ．Ｃ．Ｃｈａ，Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　４７５（２００５）：２０２．　［８］Ｎ．Ｒ．Ｍｏｏｄｙ，Ｒ．Ｑ．Ｈｗａｎｇ，Ｓ．Ｖｅｎｋａ—ｔａｒａｍａｎ，　Ｊ．Ｅ．Ａｎｇｅｌｏ，Ｄ．Ｐ．Ｎｏｒｗｏｏｄ，Ｗ．Ｗ．Ｇｅｒｂｅｒｉｃｈ，Ａｃｔａ　过凋节工作压力进行精确地摔制。即：通过调节工　作压力提供了控制方块电　的另…‘种方法。团　ｍａｔｅｒ．４６，２（１９９７）：５８５．　［９］ＹＭ．Ｌｕ，Ｒ．Ｊ．Ｗｅｎｇ，Ｗ．Ｓ．Ｈｗａｎｇ，Ｙ．Ｓ．Ｙａｎｇ，Ｔｈｉｎ　参考文献　『】Ｉ　Ｇ．Ｍｉｎ，Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１　５３（２００５）：４９．　［２］Ｔ・Ｒｉｅｋｋｉｎｅｎ，Ｊ・Ｍｏｌａｒｉｕｓ，Ｔ・Ｌａｕｒｉｌａ，Ａ－Ｎｕｒｍｅｌａ，　Ｉ．Ｓｕｎｉ．Ｊ．Ｋ．Ｋｉｖｉｌａｈｔｉ．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｅｎｇ．６４　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　３９８—３９９（２００１）：３５６．　［１　０】Ｗｅｎ—Ｈｏｒｎｇ　Ｌｅｅ，Ｊｕｎｇ—ｃｈｅｎｇ　Ｌｉｎ，Ｃｈｉａｐｙｕｎｇ　Ｌｅｅ，　Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ，６８（２００１）：２６６．　（上接第５４页）　烧制后的ＭＬＣＣ　体两端涂上银浆，高温烧银；然　后在银层上电镀２　ｕｍ～４￣ｔｍＮｉ作为阻挡层；最后在　镍层＿卜电镀５　ｐｍ～１０　ｇｍ的ｓｎ或ＳｎＰｂ合会以保证元　件有良好的可焊件。即底层足Ａｇ电极，Ｉ｝Ｊ问是Ｎｉ镀　样品分析得知，其银电极表面出现介质成分（钛酸　钡），很可能是该ＭＬＣＣ的端电极银层在烧结的过程　【｛｜，烧银工艺设置不合理，导致出现烧结缺陷。　层，最外层是Ｓｎ（或Ｓｎ—Ｐｂ）。采用三层结构的端电　极即经济又可靠，先是烧结　层附着力　的又适宜　电镀的银层，接着在其上面电镀…层而、』高温、稳定　性好的Ｎｉ阻挡层，该层阻挡了Ａｇ的迁移，又阻挡了　ＭＬＣＣ￣电极银焊接时在焊槽里牛成Ａｇ—Ｓｎ合金。从　而避免了端电极被熔蚀脱落。此外，在产品热老化　３　结论　多层陶瓷电容器端电极电镀效果变差的原因　是一一层电极结构中的底层银出现了缺损和不连续现　象，导致部分内部介质和银浆料中的无机粘结剂成　分裸露，而这些氧化物和化合物都是导电效果差的　物质，在后续的电镀时，基体银层就会因导电性不　好而导致电镀效果差，镀层不连续，影响了多层陶　瓷电容器元件的质量。因此要设置合理的烧银工艺　以达到理想的烧结特性。团　过程中阻止Ｓｎ焊料向Ａｇ电极层扩散　ｆ。　端电极用得银浆料是由导电相、无机粘结剂及　有机粘结载体三个部份组成。无机粘结剂主要成分　为玻璃和氧化物，其功能是将外电极永久性地粘结　于ＭＬＣＣ端面上。正常烧结情况下，高温烧结渗透　参考文献　【１］杜支波等．多层共烧元件界面研究的现状与展望　【Ｊ】．材料导报，２００８，２２（４）：２６—２９．　［２］宋子峰．大容量ＭＬＣＣ的工艺设计［Ｊ］．电子元件与　后形成　个非连续具有良好的机械粘结拉力的牢固　粘结区。对三层电镀端电极要注意，要选择可镀性　好的银浆料，在此前提　，关键是选择好助溶剂即　玻璃粉和与之相适应的烧银温度。选好银浆料和烧　银工艺是基础。如果该基础选择小好，就会出现各　材料，２００８，８（８）：４３—４５．　［３］Ｃｈｏｗｄｓｒｙ　Ｒ，Ｋｏｒｉｐｅｌｌａ，Ｈｅｎｒｙ　Ｄｅｍａｔｏｓ　Ｖ．　Ｆｒａｃｔｏｇｒａｐｈｙ　ｏｆ　ｔｈｅｒｍａｌ－－ｓｈｏｃｋ—－ｃｒａｃｋｅｄ　ｍｕｔｉｌａｙｅｒ　ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒａｌ　Ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　１　９９９，５２（６）：２２３４～２２５７．　种端电极问题。银底层对多层陶瓷电容器的镀层质　量有决定性的影响。它必须把银电极　域密封好，　［４］杨雯，俞守耕．片式ＭＬＣ＿￣层端电极中的Ｓｎ—ｐｂ合　防【卜电镀时镀液中金属离子渗透。还有如果烧结工　艺设置不合理，如：烧银温度偏高或保温时间过　金电镀［Ｊ］．电子元件与材料，１９９４，１３（６）：３５—３８．　［５］张尹，李基森，齐坤等．片式电子元器件中无铅可　焊镀层的研究［Ｊ］．中国表面工程，２００５，１８（２）：１－３．　长，就会造成玻璃料物质溢出，而这些物质都基本　不导电，从而影响后续的电镀工艺，导致电镀效果　第一作者简介　史勤刚，硕士，研究方向为电子信息材料。　５８．．　变差，影响镀层的连续性。从对电镀效果差的问题　．．