钝化膜提高GaN基LED光提取效率研究

第２７卷　第４期　固体电子学研究与进展　ｖ０１．２７．Ｎｏ．４　２００７年１１月　ＲＥＳＥＡＲＣＨ＆ＰＲＯＧＲＥＳＳ　ＯＦ　ＳＳＥ　ＮＯＶ．，２００７　矿　光电子学　钝化膜提高ＧａＮ基ＬＥＤ光提取效率研究　达小丽　沈光地　徐　晨　朱彦旭　（北京工业大学光电子技术实验室，北京，１０００２２）　２００７—０１—０８收稿，２００７—０３—２６收改稿　摘要：模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于２３。时，发生全反射，无论是否在器件表　面生长增透膜，这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来。研究了使用等离子体增强化学气相沉积法　（ＰＥＣＶＤ）在已经制备了ｎ电极和Ｐ电极的ＧａＮ基ＬＥＤ上制备钝化膜，分析了ＳｉＯＮ和ＳｉＮ　膜沉积对于器件的光　输出功率的影响。通过实验证明，在器件上沉积ＳｉＯＮ后，光输出功率增加。　关键词：氮化镓基发光二极管；等离子体增强化学沉积；钝化膜　中图分类号：ＴＮ３０４，２　文献标识码：Ａ　文章编号：１０００—３８１９（２００７）０４—５５８一Ｏ４　Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｌｉｇｈｔ　Ｏｕｔｐｕｔ　Ｐｏｗｅｒ　ｆｏｒ　ＧａＮ－ｂａｓｅｄ　ＬＥＤ　ｂｙ　Ｃｏａｔｉｎｇ　Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒｓ　ＤＡ　Ｘｉａｏｌｉ　ＳＨＥＮ　Ｇｕａｎｇｄｉ　ＸＵ　Ｃｈｅｎ　ＺＨＵ　Ｙａｎｘｕ　（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ａｔｔｄ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｌａｂ．，Ｂｅｉｊｉｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＢｅＯｉｎｇ，１０００２２，ＣＨＮ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ，ｗｅ　ｓｉｍｕｌａｔｅ　ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ａｎｇｌｅ．Ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ａｎｇｌｅ　ｉｓ　ｍｏｒｅ　ｔｈａｎ　２　３。，ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｃａｎ　ｎｏｔ　ｂｅ　ｅｘｔｒａｃｔｅｄ　ｆｒｏｍ　ＬＥＤ　ｔｏｐ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ．Ｗｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｅ　ＳｉＯＮ　ａｎｄ　ＳｉＮ　ｆｉｌｍｓ　ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ　ａｔ　ｌｏｗ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（１００　。Ｃ）ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＥＣＶＤ）ｔｏ　ｓｅｒｖｅ　ａｓ　ｔｈｅ　ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ　ｏｆ　ＧａＮ—Ｉ　ＥＤｓ，ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ｃｏｍｐａｒｅ　ｔｈｅｉｒ　ｌｉｇｈｔ　ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ．Ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＬＥＤ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｇｒｅａｔｌｙ　ａｆｔｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ　ｔｈｅ　ＳｉＯＮ　ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＧａＮ—ＬＥＤ；ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ　ＥＥＡＣＣ：７２８ＯＥ；７３６ＯＬ；７７５５；７８６５Ｋ　的发光二极管在实现半导体固体照明方面起着重要　１　引　言　的作用，目前已成为光电子学领域的研究热点［１］。为　了获得高亮度的ＧａＮ基ＬＥＤ，关键是要提高器件　发光二极管由于其具有体积小、寿命长、效率　的外量子效率。目前芯片光提取效率是限制器件外　高、高耐震性、耗电量少及发热少等特点，被广泛应　量子效率的主要因素，其主要原因是ＧａＮ基的外延　用到日常生活中的各项用品，如各种家电的指示灯　层材料、蓝宝石衬底材料与空气之间的折射率差较　或光源等。近年来更由于多色彩及高亮度化的发展　大，导致有源区产生的光在不同的折射率材料界面　趋势，应用范围更向户外显示发展，如照明灯、大型　发生全反射而不能导出芯片－２　］。　户外显示屏、交通信号灯等。尤其是ＧａＮ材料制备　目前已经提出了几种提高芯片光提取效率的方　｝联系作者：Ｅ—ｍａｉｌ：ｄａｄａ３６５＠ｅｍａｉｌｓ．ｂｊｕｔ．ｅｄｕ．ｃａ　维普资讯 http://www.cqvip.com ４期　达小丽等：钝化膜提高ＧａＮ基ＬＥＤ光提取效率研究　５５９　法，主要包括：改变芯片的几何外形，减少光在芯片　已经具备了生长基底温度低的优点，但是对于半导　内部的传播路程，降低光的吸收损耗，如采用倒金字　塔结构　；控制和改变自发辐射，通常采用谐振腔或　体发光器件来说，当在其上生长介质钝化膜时，样品　已经具备ｎ电极和Ｐ电极，这些金属电极都很难经　受高温，在高温的过程中，金属电极的性能会发生退　化。因此要在低温条件下生长钝化保护膜，来确保电　极特性不会发生恶化。因此在沉积这两种介质膜的　时候，ＰＥＣＶＤ的基底温度设定在１００。Ｃ。制备　Ｓｉ０Ｎ时，ＰＥＣＶＤ的腔室压力为６６．７　Ｐａ，ＳｉＨ　、　者光子晶体等结构；采用粗化表面，使光在粗糙的半　导体和空气（或者其它介质）界面发生散射，增加其　透射的机会－５　］。此外利用倒装焊（Ｆｌｉｐ—ｃｈｉｐ　ｂｏｎｄ—　ｉｎｇ）技术，同时通过带有高反镜的Ｐ型电极增加光　子从蓝宝石透射机会，从而进一步提高芯片的光提　取效率　。　半导体表面是具有特殊性质的表面，对外界气　氛极为敏感，影响半导体器件的特性。为了提高器件　的可靠性和稳定性，必须对表面采取有效的保护措　施。由于钝化层的生长是在完成电极制备之后，因此　生长温度不易过高，否则电极性能会变坏。而温度过　低，生长的钝化层往往存在黏附性不好，易剥落的问　题。对于ＬＥＤ器件来说，不仅要求有好的电特性，更　要求有高的光提取效率。文中针对这些问题使用等　离子体化学气相沉积在１ＯＯ。Ｃ下制备黏附性好的　Ｓｉ０Ｎ和ＳｉＮ　膜，研究了这两种钝化膜对于ＧａＮ基　Ｉ　ＥＤ光电特性的影响。　２　实　验　实验中使用的样品是在（０００１）面蓝宝石衬底　上，用Ｍ０ＣＶＤ生长的多个ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子阱的　发光二极管的外延片。其结构从下到上分别为：蓝宝　石衬底、ＧａＮ缓冲层、Ｓｉ掺杂的ｎ—ＧａＮ层、ＩｎＧａＮ／　ＧａＮ多量子阱有源区、Ｍｇ掺杂的Ｐ—ＧａＮ层。为了　有效地激活ｐ－ＧａＮ中的掺杂杂质的活性，样品在　７５０。Ｃ的氮气环境中退火３０　ｍｉｎ￣９］，使得ｐ－ＧａＮ和　ｎ—ＧａＮ层的载流子浓度能够分别达到５×１０＂ｃｍ。　和５×１０１８ｃｍ～。在３５０。Ｃ下使用Ｐｌａｓｍａｌａｂ　８０　Ｐｌｕｓ　型ＰＥＣＶＤ生长Ｓｉ０　做掩模，使用刻蚀系统ＩＣＰ刻　过多量子阱有源区一直到ｎ—ＧａＮ形成Ｉ　ＥＤ台面，　用胶做掩模，在ｐ－ＧａＮ上溅射Ｎｉ／Ａｕ，然后在５００　。Ｃ度的条件下进行合金５　ｍｉｎ形成Ｐ电极的欧姆接　触层，然后剥离光刻胶。再用胶保护Ｐ电极和Ｉ　ＥＤ　台的侧壁，在ｎ—ＧａＮ上溅射Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ形成ｎ　电极欧姆接触，剥离光刻胶。这样就在器件上就制备　好了ｎ电极和Ｐ电极，然后将样品分成１０　ｍｍ×１０　ｍｍ的多个小样品。从其中拿出两个样品，使用等离　子体增强化学气相沉积的方法，在这两个样品上分　别生长Ｓｉ０Ｎ和ＳｉＮ　。通常来说，使用ＰＥＣＶＤ的方　法生长介质钝化膜采用２５Ｏ～４００。Ｃ的基底温度。虽　然与普通的ＣＶＤ（８００￣１　２００。Ｃ）相比，ＰＥＣＶＤ法　Ｎ２０和Ｎ２的流量分别为２００　ｓｃｃｍ、１２０　ｓｃｃｍ和３５０　ｓｃｃｍ，并且３Ｏ　ｗ的低频激励源（１００　ｋＨｚ）和４Ｏ　ｗ　的高频激励源（１５．５６　ＭＨｚ）分别交替使用。制备　ＳｉＮ　时，ＰＥＣＶＤ的腔室压力为６６．７　Ｐａ，浓度为　５　的ＳｉＨ　的流量为４００　ｓｃｃｍ，高纯ＮＨ。的流量为　９　ｓｃｃｍ，并且采用低高频激励源交替工作模式，低　频（１００　ｋＨｚ）激励源功率为４Ｏ　ｗ，高频（１３．５６　ＭＨｚ）激励源功率为３Ｏ　ｗ。在制备介质膜时应用高　低频激励源交替的模式可以更加容易的制备出均匀　性好、应力低的ＳｉＮ　膜Ｌ１　。由于Ｓｉ０Ｎ和ＳｉＮ　是介　质膜，具有高绝缘特性，因此在生长之后还需要应用　光刻腐蚀的方法，将电极上的介质膜腐蚀去掉，暴露　出电极，从而方便在裂片后可以进行压焊。将这两个　样品连同表面没有生长介质钝化膜的ＧａＮ基ＬＥＤ　样品一起，将蓝宝石衬底减薄、划片、裂片，然后压焊　制作成裸装的器件。　３　结果与分析　很多研究已经证明，适当地选择膜层的折射率　和厚度可以降低表面反射率，达到增透效果。通过大　量的研究已经证明，在太阳能电池中，ＳｉＮ　膜作为　增透膜取得了很好的效果…　。但是关于在ＧａＮ基　Ｉ　ＥＤ上制备增透膜的报道很少。Ｋ．Ｍ．Ｃｈａｎｇ等人　报道－１　，采用ＳｉＮ　作为ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ的钝化　膜，可以使得在器件生长该钝化膜后，光输出增加了　６　。ＧａＮ材料的折射率为２．５左右，如果ＧａＮ表　面直接与空气接触，当光线从空气射入ＧａＮ时或者　当光线从ＧａＮ射入空气时，在两个介质的分界面上　就会产生光的反射。如果介质没有吸收，分界面是一　个光学表面，如果光线垂直入射，则ＧａＮ与空气的　界面反射率可以通过公式计算得到，　Ｒ一（＼　ｎ￣李空气十　－＋　／ｉｒｎＧａＮ　一（／）　＼｝ｌ　ｂ十Ｚ・／）　一ｏ．　８３ｅ　这就说明界面的反射率为１８．３６％，并且入射角小　于全反射的光中，有１８．３６　的光被反射回ＬＥＤ内　部，如果这部分光能够全部出射，可以使得光输出增　加２５．６３％。　维普资讯 http://www.cqvip.com ５６０　固体电子学研究与进展　因此需要计算在ＧａＮ表面上生长介质薄膜后　线，当折射率为１．５８时，在４６０　ｎｍ处的反射率降到　０；当折射率为２．０时，在４６０　ｎｍ处的反射率为　５．３　９／５；当折射率为１．４６时，反射率介于它们之间。　由此可见，在ＧａＮ表面制备折射率为１．５８的膜层　能够实现很好的增透效果。ＬＥＤ与激光器不同，从　的反射率，使用薄膜的特征矩阵法叭　来模拟计算在　ＧａＮ上镀不同折射率膜层后的反射率，　［　ｃｏｓ　，　ｓｉｎ　，］　矩阵ｌ　［ｌ称为薄膜的特征矩阵，它包　有源区产生的光是在４丌立体角内各向均匀发射。图　２模拟了ＧａＮ材料和空气接触时以及在ＧａＮ材料　上生长ＳｉＯＮ或ＳｉＮ　后，反射率与光的入射角度之　，＇ｒｈｓｉｎ　ｃｏｓ　＿Ｊ　含了薄膜的全部有用的参数；矩阵『＿Ｂｒ］为基片和薄　膜组合的特征矩阵。其中　一－　ｙ“Ｎ　ｄ　ｃｏｓ０　，对于Ｐ一　分量，　１一Ⅳｌ／ｃｏｓ０１，而对于ｓ一分量，　１一Ｎ】ｃｏｓ０ｌ，Ｎ】　是ＧａＮ上所镀膜的折射率，ｄ　是所镀膜层的物理　厚度。　令ｙ＝Ｃ／Ｂ，得到ｙ＝　等　，因　此振幅反射系数为　ｒ一　７］￣ｍｇ－一　名　）（仉＋　　ｃｏ　ｓ３　三舄　／】＋　（吼　１　ｖ　）＋　１　ｓｉｎ３，】　得到能量反射　一　率为　Ｒ　・Ｙ　＝　（　ｏ～　２）。ＣＯＳ　】＋（　ｏ　２／Ｖ１—　１）　ｓｉｎ　１　（　ｏ＋　２）　ＣＯＳ　１＋（　ｏ　２／Ｖ】＋　１）　ｓｉｎ　】。　当光线垂直入射时，　，一０。，对于ｓ一分量和ｐ一分　量来说都是　一Ｎ　，并且　。一Ｎ。，　：一Ｎ　，Ｎ。是空　气的折射率，Ⅳ　是ＧａＮ的折射率。在正入射时，当　膜的光学厚度是　，／４的奇数倍时，只要基底的折射　率大于上面镀膜的膜层折射率，反射率就是一个极　小值。　图１模拟了光垂直入射在ＧａＮ表面生长折射　率为１．４５、１．５８和２．０，并且膜层厚度为四分之一　波长的膜层时，波长与反射率的关系，比较这三条曲　图１　三种折射率不同的材料在不同波长下的反射率　Ｆｉｇ．１　Ｔｈｅ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｒｅｅ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｆｉｌｍｓ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒ－　ｅｎｔ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　间的关系。　图２中，Ａ曲线代表没有生长钝化膜时，也就是　ＧａＮ材料与空气直接接触时光的入射角度与反射　率的关系图；Ｂ曲线代表在ＧａＮ表面生长四分之三　波长的折射率为２．０的ＳｉＮ　膜后，光的入射角度与　反射率的关系；Ｃ曲线代表在ＧａＮ表面上生长四分　之三波长并且折射率为１．５８的ＳｉＯＮ膜后，光的入　射角度与反射率的关系。在这三条曲线的最初阶段，　随着光的入射角增加，反射率基本保持不变，在接近　Ｏ　Ｏ　Ｏ２３。的位置，反射率急剧增加到１。这是因为当光子　Ｏ　９　８　７　６　从光密媒质射向光疏媒质时，入射角大于临界角就　会发生全反射。ＧａＮ的折射率为２．５，通过公式　一　ｓｉｎ　（‰　／　ｃ　ｗ），很容易计算出当ＧａＮ与空气直接　接触时，发生全反射的临界角为２３。。入射角大于临　界角的光子如果不能够经过一次或者多次反射从其　它出光面出射，将在Ｉ　ＥＤ内部被吸收。从图２中可　以看到，当光的入射角小于临界角时，Ｃ曲线的反射　率最低，其次是曲线Ｂ，它们都小于Ａ曲线的反射　率。　Ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ａｎｇｌｅ／ｄｅｇｒｅｅ　图２光的入射角度与反射率的关系对比图　Ｆｉｇ．２　Ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ａｎｇｌｅ　ｏｆ　ｌｉｇｈｔ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ　为了研究它们对ＧａＮ基ＬＥＤ的光性能的影　响，从生长了ＳｉＯＮ、ＳｉＮ　膜以及没有生长钝化膜的　ＧａＮ基ＬＥＤ样品中分别取出１Ｏ只Ｉ　ＥＤ，在２０　ｍＡ　的电流下测试光输出功率，生长ＳｉＮ　钝化膜的　　Ｏ　Ｏ　Ｏ５　４维普资讯 http://www.cqvip.com ４期　达小丽等：钝化膜提高ＧａＮ基ＬＥＤ光提取效率研究　５６ｌ　ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ的光输出功率平均值为１．９４　ｍｗ，生　长ＳｉＯＮ钝化膜的ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ的光输出功率平均　值２．２７３　ｍｗ，没有生长钝化膜的Ｉ　ＥＤ的光输出功　率平均值为１．８２９　ｍＷ。从这些数据可以分析出，　ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ生长ＳｉＮ　钝化膜后，光输出功率略有　增加，大约为６　。ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ生长ＳｉＯＮ钝化膜　后，光输出功率增加了２４．２７　。影响增透效果的三　个主要因素是Ｉ　ＥＤ的波长、增透膜的折射率和增透　ｔｅｒｎａｌ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９９，　７５（１６）：２　３６７－２　３６５．　　［５］　Ｈｕｈ　Ｃｈｕｌ，Ｌｅｅ　Ｋｕｇ－Ｓｅｕｎｇ，Ｋａｎｇ　Ｅｕｎ—Ｊｅｏｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｌｉｇｈｔ—ｏｕｔｐｕｔ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｅｒｆ　ｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ＩｎＧａＮ—ｂａｓｅｄ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｂｙ　ｍｉｃｒｏｒｏｕｇｈｅｎｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐ－ＧａＮ　ｓｕｒｆａｃｅ１＇Ｊ］．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２００３，９３（１１）：９　３８３～９　３８５．　－Ｉ６］　Ｈｕｈ　Ｃｈｕｌ，Ｌｅｅ　Ｋｕｇ—Ｓｅｕｎｇ，Ｐａｒｋ　Ｓｅｏｎｇ—Ｊｕ．Ｅｎ－　ｈａｎｃｅｄ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ　ｏｆ　ＩｎＧａＮ—ｂａｓｅｄ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　膜的厚度。使用Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ．Ｃｏ．，Ｉｎｃ．的　ＷＶＡＳＥ３２型角度可变、波长可变的椭偏仪分别测　量了所生长的这两种膜的厚度和折射率。ＳｉＯＮ和　ＳｉＮ　的折射率分别为１．５４３５和２．０７０９。ＳｉＯＮ和　ＳｉＮ　膜的物理厚度分别为２２０．４　ｎｍ和１７２．６　ｎｍ。　理想单层增透膜的条件是膜层的光学厚度为四分之　一波长的奇数倍，其折射率为入射介质和基片折射　。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。一　率的乘积的平方根，即，ｚ一√，ｚ　气＊，ｚｃ　ｗ一　１＊２．５　＝１．５８。由此可以看出，ＳｉＯＮ的折射率最接近理想　的单层增透膜，因此生长ＳｉＯＮ膜后，ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ　的光输出功率提高很多。　４　结　论　模拟计算了生长增透膜与界面反射率的关系，　增透膜可以有效地降低表面反射率。模拟计算了光　的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于　２３。时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透　膜，这时的光都无法从器件内部提取出来。研究了使　用等离子体增强气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）在制备好ｎ　电极和Ｐ电极的ＧａＮ基Ｉ　ＥＤ上制备增透膜，分析　了ＳｉＯＮ和ＳｉＮ　膜沉积对于器件的光输出功率的　影响。通过实验证明，在器件上沉积ＳｉＯＮ能够有效　地提高器件的光输出功率。　参　考　文　献　［１］　Ｙｏｕ　Ｃ　Ｈ．Ｖｉｓｕａｌ　ｅｑｕｉｖａｌｅｎｃｅ　ｏｆ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ　ｗｈｉｔｅ　ｌｉｇｈｔ［Ｊ］．Ｏｐｔ　Ｅｎｇ，２００５，４４（１１）：１１１　３０７—１—　１ｌ１　３Ｏ７—７．　［２］　Ｓｔｅｆａｎｏｖ　Ｅ，Ｓｈｅｈｏｎ　Ｂ　Ｓ，Ｖｅｎｕｇｏｐａｌａｎ　Ｈ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．　Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ　ｔｈｅ　ｅｘｔｅｒｎａｌ　ｌｉｇｈｔ　ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ＬＥＤｓ［Ｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００２，４７７６：２２３—２３４　［３］　Ｚｈｅｎｇ　Ｒ　Ｓ，Ｔｓｕｎｅｍａｓａ　Ｔａｇｕｃｈｉ．Ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ　ａｒｅａ　ＧａＮ—ｂａｓｅｄ　ＬＥＤｓ［Ｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００３，４９９６：ｌ０５一ｌｌ２．　［４］　Ｋｒａｍｅｓ　Ｍ　Ｒ，Ｏｃｈｉａｉ—Ｈｏｌｃｏｍｂ　Ｍ，Ｈｏｆｆｅｒ　Ｇ　Ｅ．ｅｔ　ａ１．　Ｈｉｇｈ－ｐｏｗｅｒ　ｔｒｕｎｃａｔｅｄ—ｉｎｖｅｒｔｅｄ—ｐｙｒａｍｉｄ（ＡＩ　Ｇａｌ一　）ｏ　ｓ　Ｉｎ　Ｐ／ＧａＰ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｅｘｈｉｂｉｔｉｎｇ＞５０　ｅｘ一　ｄｉｏｄｅｓ　ｂｙ　ａ　ｍｉｃｒｏ—ｒｏｕｇｈｅｎｅｄ　ｐ－ＧａＮ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｕｓｉｎｇ　ｍｅｔａｌ　ｃｌｕｓｔｅｒｓ［Ｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００２，４７７６：　ｌｌ４～ｌ２１．　［７］　Ｋａｎｇ　Ｅｕｎ－Ｊｅｏｎｇ，Ｈｕｈ　Ｃｈｕｌ，Ｌｅｅ　Ｓｕｋ—Ｈｕｎ，ｅｔ　ａ１．　Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｉｎ　ｌｉｇｈｔ－ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ＩｎＧａＮ／ＧａＮ　ＬＥＤ　ｂｙ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｎａｎｏｓｉｚｅ　ｃａｖｉｔｉｅｓ　ｏｎ　ｐ－ＧａＮ　ｓｕｒ－　ｆａｃｅ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｓｏｌｉｄ—ｓｔａｔｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　２００５，８（１２）：Ｇ３２７一Ｇ３２９．　［８］　Ｗｉｅｒｅｒ　Ｊ　Ｊ，Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ　Ｄ　Ａ，Ｋｒａｍｅｓ　Ｍ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．　Ｈｉｇｈ・－ｐｏｗｅｒ　Ａ１ＧａＩｎＮ　ｆｌｉｐ・－ｃｈｉｐ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００１，７８（２２）：３　３７９—３　３８１．　Ｉ－９］　刘乃鑫，王怀兵，刘建平，等．Ｐ型氮化镓的低温生长及　发光二极管器件的研究ＦＪ］．物理学报，２００６，５５（０３）：　ｌ　４２４一ｌ　４２９．　［１０］　Ｅｖｅｒｔ　Ｐ　ｖａｎ　ｄｅ　Ｖｅｎ，Ｉ一，Ｗｅｎ　Ｃｏｎｎｉｃｋ，Ａｌａｉｎ　Ｓ．Ｈａｒ—　ｒｕｓ，Ａｄｖａｎｔａｇｅｓ　ｏｆ　ｄｕａｌ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ＰＥＣＶＤ　ｆｏｒ　ｄｅｐｏｓｉ－　ｔｉｏｎ　ｏｆ　ＩＬＤ　ａｎｄ　ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｆｉｌｍｓ　Ｅｃ］．ＩＥＥＥ　ＶＭＩＣ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９９０：１９４—２０１．　［１１］　Ｗｉｎｄｅｒｂａｕｍ　Ｓ，Ｙｕｎ　Ｆ，Ｒｅｉｎｈｏｌｄ　Ｏ．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉ—　ｔｒｉｄｅ　ａｓ　ａ　ｄｏｕｂｌｅ　ｌａｙｅｒ　ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｃｏａｔｉｎｇ　ａｎｄ　ｐａｓｓｉ—　ｖａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ　ｆｏｒ　ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｖａｃ　Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ，１９９７，Ａ１５（３）：ｌ　０２０—１　０２５．　，１１２］　Ｈｅｎｎｉｎｇ　Ｎａｇｅｌ，Ａｒｍｉｎ　Ｇ　Ａｂｅｒｌｅ，Ｒｕｄｏｌｆ　Ｈｅｚｅ１．Ｏｐ—　ｔｉｍｉｓｅｄ　ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ｐ　ｌａｎａｒ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ　ｕｓｉｎｇ　ｒｅｍｏｔｅ　ＰＥＣＶＤ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ａｎｄ　ｐｏｒｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｄｉｏｘｉｄｅ［Ｊ］．Ｐｒｏｇ　Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ：Ｒｅｓ　Ａｐｐｌ，１９９９，　７：２４５—２６０．　［１３］　Ｃｈａｎｇ　Ｋ　Ｍ，Ｌａｎｇ　Ｃ　Ｃ，Ｃｈｅｎｇ　Ｃ　Ｃ．Ｔｈｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉ—　ｔｒｉｄｅ　ｆｉｌｍ　ｆｏｒｍｅｄ　ｂｙ　ＥＣＲ—ＣＶＤ　ｆｏｒ　ＧａＮ—ｂａｓｅｄ　ＬＥＤ　ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ＦＪ］．Ｐｈｙｓ　Ｓｔａｔ　Ｓｏｌ（ａ），２００１，１８８（１）：１７５一　ｌ７８．　，１１４］　唐晋发，顾培夫．薄膜光学与技术ＦＭ］．第一版．机械　工业出版社，１　９８７：１３—１６．　达小丽（ＤＡ　Ｘｉａｏｌｉ）　女，１９７８年ｌ２月　生，现在北京工业大学微电子学与固体电　子学专业攻读博士学位，从事半导体光电　子器件和光学薄膜的研究工作。