专利名称：接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法专利类型：发明专利
发明人：胡青,何大权,张辰明,魏芳,朱骏申请号：CN202010891829.0申请日：20200828公开号：CN111929981A公开日：20201113
摘要：本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201315 上海市浦东新区良腾路6号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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