专利名称：正形碳膜沉积专利类型：发明专利发明人：P·曼纳,A·玛里克申请号：CN201980039203.2申请日：20190606公开号：CN112262227A公开日：20210122
摘要：本公开描述了用于在基板上沉积非晶碳层的方法。基板被暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物。本公开还描述了蚀刻基板的方法，所述方法包括通过将基板暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物来在基板上形成非晶碳硬掩模。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
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