基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：张婷,郭辉,黄海栗,苗东铭,胡彦飞,张玉明申请号：CN201510030922.1申请日：20150121公开号：CN104538470A公开日：20150422

摘要：本发明公开了一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。主要解决现有太阳能电池绒面结构光反射率高，载流子收集效率低的问题。其包括N背电极(6)和型硅衬底(5)，其中N型硅衬底(5)的上表面采用干法刻蚀形成纳米线阵列结构，在该纳米线阵列结构上表面依次采用等离子体化学气相淀积形成本征非晶硅层(4)和P型非晶硅层(3)，采用磁控溅射工艺形成ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，在纳米线阵列结构的顶端采用电子束蒸发形成正电极(1)。本发明由于采用硅纳米线阵列结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

申请人：中电投西安太阳能电力有限公司

地址：710100 陕西省西安市航天基地东长安街5号

国籍：CN

代理机构：陕西电子工业专利中心

代理人：王品华

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文