专利名称：同时刻蚀与钨掺杂的氧化钛纳米线阵列及其制备方
法和应用
专利类型：发明专利发明人：郑耿锋,王永成,唐静申请号：CN201410288305.7申请日：20140625公开号：CN104071831A公开日：20141001
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列及其制备方法和应用。制备方法包括：在水热体系下，以钛酸四正丁酯等为钛源，水为溶剂，浓盐酸调控水解反应的速率，在含氟氧化锡（FTO）等导电玻璃基底上生长二氧化钛纳米线阵列；然后在盐酸羟胺、硫化钠和钨酸钠水溶液中进行同时刻蚀和钨掺杂。本发明将利用TiO纳米线阵列在弱碱性条件下的刻蚀过程实现高效的钨掺杂，提高了太阳能电池对光的吸收效率，实现了高效光解水制氢以及光电转化产生光电流的一步过程。本发明原材料来源广泛，制备方法简单、环保、价格低廉，有利于推广应用。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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