In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法[发明专利]

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专利名称：In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：赵晓辉,陈海燕,唐志永,陈小源,孙予罕申请号：CN2019101274.2申请日：20190313公开号：CN1116512A公开日：20200922

摘要：本发明提供一种In掺杂的Cu‑S基热电材料及其制备方法，Cu‑S基热电材料的化学通式为2*(1‑y)CuS+yCuInS，其中0.002≤y≤0.10。本发明利用三步法球磨，通过合理地设置球磨参数和掺杂元素含量，实现了在Cu‑S基热电材料中原位引入均匀分散的纳米第二相，在合适的温度压力下利用射频感应热压设备快速烧结后，形成致密的块体材料，均匀分散的第二相纳米晶粒依然存在，且与基体之间具有共格及半共格关系，使得载流子顺利通过而不影响电学性能，而声子受到剧烈散射而导致热导率大幅降低，从而使材料具有优异的热电性能，且这类第二相纳米晶界的存在，阻碍了Cu离子的长程扩散，使得材料的热稳定性得到增强。本发明的制备工艺简单，易于大量生产，具有良好的可控性。

申请人：中国科学院上海高等研究院,中国科学院大学

地址：201210 上海市浦东新区海科路99号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：佟婷婷

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