专利名称：氮化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：郭俊植,郑暎都,车昊映,朴奉烈,李在吉,李宽铉申请号：CN201410079081.9申请日：20140305公开号：CN104037212A公开日：20140910
摘要：本发明涉及可利用整流性电极来防止反向漏电流的氮化物半导体元件（单向异质结晶体管）及其制造方法，单向异质结晶体管具备：通道层，由具有第一能带隙的第一氮化物类半导体形成；势垒层，由具有与第一能带隙不同的第二能带隙的第二氮化物类半导体形成；凹槽区域，形成于势垒层；漏电极，在势垒层的一侧布置于势垒层上；以及凹槽-漏极肖特基电极，布置于凹槽区域，且与漏电极相接。
申请人：首尔半导体株式会社
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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