专利名称：内埋元件封装结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：廖玉茹,陈建泛,王建皓申请号：CN201910655008.4申请日：20190719公开号：CN111863735A公开日：20201030
摘要：一种内埋元件封装结构，包括一介电结构、一半导体芯片、一第一高分子层以及一图案化导电层。半导体芯片内埋于介电结构中。第一高分子层覆盖半导体芯片且具有一第一厚度，第一厚度大于对应位于第一高分子层上方的介电结构的一第二厚度，其中第一高分子层具有一第一开孔，介电结构具有一第二开孔，第一开孔小于第二开孔。图案化导电层覆盖介电结构的一上表面并延伸于第一高分子层上方及第一开孔与第二开孔中，图案化导电层与半导体芯片电性连接。
申请人：日月光半导体制造股份有限公司
地址：中国台湾高雄市
国籍：CN
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：林斯凯
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