一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用专利类型：发明专利发明人：喻志农

申请号：CN201710179475.5申请日：20170323公开号：CN107134412A公开日：20170905

摘要：本发明涉及半导体加工制造领域，公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺，工艺为：在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案，实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜，再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀，最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点，Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏，同时ILD孔径略小于Mo技术图案，S/D电极在Poly表面层接触面积扩展，在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小，能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小，避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。

申请人：北京理工大学

地址：100081 北京市海淀区中关村南大街5号

国籍：CN

代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司

代理人：皋吉甫

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