专利名称：膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造
方法、半导体发光元件和照明装置
专利类型：发明专利发明人：醍醐佳明
申请号：CN201280053158.4申请日：20121023公开号：CN103918060A公开日：20140709
摘要：本发明提供一种可以借助于溅射法制备+c极性的外延膜的膜形成方法，和适于该膜形成方法的真空处理设备，进一步提供使用该外延膜的半导体发光元件的生产方法以及通过该生产方法生产的半导体发光元件和照明装置。本发明的一个实施方案为一种膜形成方法，所述方法在使用加热器加热至所需温度的外延生长用基板上通过溅射法而外延生长具有纤锌矿结构的半导体膜，其中，所述膜形成方法包括以下步骤。首先，将所述基板配置在具有所述加热器的基板保持器上，以使所述基板距所述加热器规定距离。其次在配置所述基板距所述加热器规定距离的状态下，将具有纤锌矿结构的半导体膜的外延膜形成于所述基板上。
申请人：佳能安内华股份有限公司
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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