专利名称：电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体专利类型：发明专利发明人：岩濑英二郎
申请号：CN201980062967.3申请日：20190903公开号：CN112771996A公开日：20210507
摘要：本发明能够提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。所述电子器件层叠体的制造方法包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及剥离工序，从密封层剥离基板，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
申请人：富士胶片株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容