专利名称：薄膜半导体器件、电光装置及中间掩模专利类型：实用新型专利发明人：天野隆祐,北和田清文申请号：CN03204041.5申请日：20030212公开号：CN2627537Y公开日：20040721
摘要：本实用新型提供在薄膜的图形化中，即便是具有该图形上相交部分，在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外，对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说，在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X)，该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角，形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。
申请人：精工爱普生株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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