一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置[发明专利]

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专利名称：一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装

置

专利类型：发明专利发明人：王祖强,刘建宏申请号：CN201510330790.4申请日：20150615公开号：CN104900532A公开日：20150909

摘要：本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可增大晶粒尺寸，减小晶界数量，降低漏电流，提高TFT电性能。该制备方法包括形成低温多晶硅有源层的步骤；衬底基板具有第一、第二区域；该步骤包括在衬底基板的第一、第二区域上形成缓冲层，缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在衬底基板的第一区域上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光晶化处理，使非晶硅层转化为多晶硅层；去除第二区域上的多晶硅层，在第一区域上形成低温多晶硅有源层。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板的制备。

申请人：京东方科技集团股份有限公司

地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

国籍：CN

代理机构：北京中博世达专利商标代理有限公司

代理人：申健

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