专利名称：光电子器件和用于制造光电子器件的方法专利类型：发明专利
发明人：托比亚斯·迈耶,克里斯蒂安·莱雷尔,洛伦佐·齐尼,于
尔根·奥弗,安德烈亚斯·莱夫勒,亚当·鲍尔
申请号：CN201480020763.0申请日：20140324公开号：CN105122454A公开日：20151202
摘要：本发明涉及一种光电子器件(101)，包括：载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于包含该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。本发明还涉及一种用于制造光电子器件(101)的相应的方法。
申请人：欧司朗光电半导体有限公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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