一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法专利类型：发明专利

发明人：李含冬,张忠阳,王志明,任武洋,李勇,龙城佳,周志华,

姬海宁,牛晓滨

申请号：CN201611202065.X申请日：20161223公开号：CN106702482A公开日：20170524

摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。

申请人：电子科技大学

地址：610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)

代理人：谭新民

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