MCV530（L）全自动汞探针系统是带扫描测试功能的高频电容-电压测试分析系统，它兼容3寸， 4寸， 5寸， 6寸， 8寸和12寸硅片。与传统的汞探针系统采用硅片正面朝下、真空吸附测试方式不同，MCV530（L）汞探针系统采用独特的汞探针设计，测试时硅片样品正面朝上，避免了传统设备玷污和破坏样品、无法进行多点扫描测试的缺点。同时MCV530（L）采用高精度的调压设备来精确控制汞柱和硅材料接触面积。该方法是测试硅外延层的电学参数及Low-K材料的介电常数等的有效方法。
MCV530（L）有两种测量模式：肖特基和MOS。肖特基测量模式是测量硅外延层载流子浓度的有效方法，其重复性小于1.5%（3σ）。该模式也是测量复合半导体材料（如：SiC, GaN, InP, GaP）载流子浓度的有效手段。MOS模式采用汞柱来形成MOS电容结构，节省了制作MOS样品的复杂流程，所以能够快速监控介电常数、离子注入参数、氧化层电荷、载流子产生寿命和氧化层的可靠性。MOS模式可测*薄氧化层厚度为35埃。 产品特点
样品正面向上，非损伤测试 系统内汞含量极少，汞保护措施完善 汞接触面积稳定，重复性优秀 工业化设计，符合SEMI各项标准 应用面广，适合半导体、液晶等不同行业 行业标准设备，市占率90%以上 主要应用
硅及化合物半导体外延电阻率监控 CVD工艺监控 扩散工艺监控 主要技术指标
偏压范围： ±250V
击穿电压范围： ±1100V 电流范围： 10fA to 100mA 汞接触面积重复性： < 0.15%
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