专利名称：一种图形化蓝宝石衬底的制备方法专利类型：发明专利发明人：侯想,刘杨,钟梦洁申请号：CN202010416961.6申请日：20200518公开号：CN111682092A公开日：20200918
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，AlN薄膜属于III‑V族化合物绝缘材料，具有很多优越的物理化学性质，如高硬度、很好的III导热性、低热膨胀系数、优良的化学稳定性。AlN和GaN的晶格常数比较接近，在蓝宝石上生长AlN层，可以减少蓝宝石和GaN之间因较大的晶格失配二导致的应变。本发明既保留了蓝宝石表明的光学面，也可解决由于PSS尺寸做大引起的外延雾化及位错问题，另一方面更有利于外延GaN的生长，缩短外延生长时间。
申请人：福建中晶科技有限公司
地址：364000 福建省龙岩市永定区高陂镇永定工业园区
国籍：CN
代理机构：天津铂茂专利代理事务所(普通合伙)
代理人：陈晓蕾
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