专利名称：单晶硅的制造方法专利类型：发明专利
发明人：鸣嶋康人,久保田利通申请号：CN201780037723.0申请日：20170418公开号：CN109415841A公开日：20190301
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法具备形成单晶硅的肩部的肩部形成工序和形成单晶硅的直体部的直体部形成工序，在肩部形成工序中，以下加热部的加热量除以上加热部的加热量的加热比从1以上的规定的值变大的方式对坩埚进行加热而形成肩部。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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