一种多晶硅锭的晶体生长方法[发明专利]

来源：六九路网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种多晶硅锭的晶体生长方法专利类型：发明专利

发明人：张任远,刘磊,高文宽,潘明翠,吴萌萌申请号：CN201210566780.7申请日：20121221公开号：CN102978687A公开日：20130320

摘要：本发明提供了一种多晶硅锭的晶体生长方法。该晶体生长方法包括加热阶段、熔化阶段、生长阶段、退火阶段和冷却阶段，其中，在生长阶段，从生长开始时至透顶完成时，将多晶铸锭的顶部区域温度维持在恒定值。本发明的晶体生长方法能够减小多晶硅锭生长过程中竖直方向上的温度梯度，使硅锭的生长速度更加平稳，进而使硅锭内部杂质更均匀地向液相分凝，能够有效地降低硅锭的晶体内部的缺陷密度，提升多晶硅锭的整体品质，从而由多晶硅锭制作的单个电池片的电池效率以及高效电池片的整体比例均得到提升。

申请人：英利集团有限公司

地址：071051 河北省保定市翠园街722号

国籍：CN

代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司

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