一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法专利类型：发明专利

发明人：郭大伟,黎志欣,王军,王楠申请号：CN201210322035.8申请日：20120904公开号：CN102877125A公开日：20130116

摘要：本发明提供了一种用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，包括：将单晶铺设于坩埚底部，并在上面添加硅料及根据目标电阻率相配合的合金，将装有以上硅料的坩埚装入多晶铸锭炉内；将所述多晶铸锭炉抽真空，加热并监测炉内的温度，当加热到规定温度时，充入氩气；当传感器探测到籽晶熔化到规定深度时，按预置温度降温至长晶温度；按照预先设定的温度及隔热笼的开启程度来控制长晶速度，直至类单晶硅锭长成；保持一定温度一定时间后进行降温，冷却结束后，硅锭出炉。上述方法利用现有的多晶铸锭炉实现了类单晶硅锭生产，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了硅锭和硅片的平均质量。本发明还提供了一种生产类单晶硅锭的多晶铸锭炉。

申请人：北京京运通科技股份有限公司

地址：100176 北京市北京经济技术开发区经海四路158号

国籍：CN

代理机构：北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：史霞

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