一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610939973.0 （22）申请日 2016.11.02

（71）申请人 中国电子科技集团公司第四十六研究所

地址 300220 天津市河西区洞庭路26号

（10）申请公布号 CN106319619A

（43）申请公布日 2017.01.11

（72）发明人 莫宇;李春龙;韩焕鹏;张睿;吕菲 （74）专利代理机构 天津中环专利商标代理有限公司

代理人 王凤英

（51）Int.CI

C30B15/14; C30B29/06;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统

（57）摘要

本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶

无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在

0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为

250‑350mm/h；放肩中提拉速率设为38mm/h，放肩的降温曲线通过放肩阶段晶体的直径大小进行控

制；等径中额外增加补温。由此成功在14英寸热场下生长出了无漩涡无位错6吋重掺硅单晶，氧碳测试结果达到国标，其应用成本低，符合单晶生产要求。本工艺使用新设计的三段式导流筒结构的热场，设计炉底为双层结构，增强了单晶炉的保温性，有助于拉制大尺寸单晶，有效防止拉制重掺单晶过程组分过冷的发生。

法律状态

法律状态公告日

2017-01-11 2017-01-11 2017-02-08 2017-02-08 2018-07-31

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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