专利名称：制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法专利类型：发明专利发明人：曾鸿辉
申请号：CN01101277.3申请日：20010117公开号：CN1366332A公开日：20020828
摘要：一种制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法,形成有不同蚀刻特性的一层掺杂多晶硅层及一层牺牲层在基底上。在前述产生的基底上形成一层介电层以覆盖栅极结构的表面,并且暴露出栅极结构的牺牲层的表面,随后以金属层取代牺牲层以形成栅极。
申请人：世界先进积体电路股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陶凤波
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