专利名称：一种高性能银碲化合物热电半导体材料及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：裴艳中,李文,张馨月申请号：CN201810072149.9申请日：20180125公开号：CN108346736A公开日：20180731
摘要：本发明涉及一种高性能银碲化合物热电半导体材料及其制备方法，所述的银碲化合物热电半导体材料化学式为AgTe，‑0.04≤x≤0.14；该材料的制备是以高纯单质为原料，按上述化学式中的化学计量比配料，通过真空封装、高温熔融、退火热处理后，研磨成粉末，进行真空热压烧结、缓慢降温后得到片状块体材料，即为目的产物。与现有技术相比，本发明制得了具有极低热导率、高热电性能的热电半导体材料，探索出了获得高质量多晶样品的制备工艺，该热电材料的晶格热导率在全温度范围内低至0.18～0.25W/m·K，并在温度到达650K时其热电优值达到1.0，是一类极具潜力的热电材料。
申请人：同济大学
地址：200092 上海市杨浦区四平路1239号
国籍：CN
代理机构：上海科盛知识产权代理有限公司
代理人：刘燕武
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