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一种镜像全加器电路

来源：六九路网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201520343069.4 （22）申请日 2015.05.25 （71）申请人哈尔滨理工大学

地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

（10）申请公布号 CN204652349U

（43）申请公布日 2015.09.16

（72）发明人刘倩;丁成乐

（74）专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人胡树发

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种镜像全加器电路

（57）摘要

一种镜像全加器电路，涉及一种全加器，

本实用新型为解决现有全加器电路采用的晶体管个数很多，导致关键路径上的延迟极大的问题。本实用新型包括进位电路和求和电路，进位电路和求和电路均为镜像结构；第一进位电路包括PMOS晶体管a、PMOS晶体管b和PMOS晶体管c，第二进位电路包括NMOS晶体管d、NMOS晶体管e和NMOS晶体管f，第一求和电路包括PMOS晶体管g、PMOS晶体管h、PMOS晶体管i、PMOS晶体

管j和PMOS晶体管k，第二求和电路包括NMOS晶体管m、NMOS晶体管n、NMOS晶体管o、NMOS晶体管p和NMOS晶体管q；本实用新型用于数字集成电路。

法律状态

法律状态公告日

2015-09-16 2015-09-16 2018-06-12

法律状态信息

授权授权专利权的终止

法律状态

授权授权

专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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