专利名称：锰锡氧化物类透明导电氧化物及利用其的多层透明
导电膜以及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：崔志远,崔源国,金镇相,任咳摞申请号：CN201610073079.X申请日：20160202公开号：CN105845196A公开日：20160810
摘要：本发明涉及即便在常温蒸镀时也具有低的表面粗糙度、低的面电阻及高的透射率特性的最佳组成的锰锡氧化物类透明导电氧化物(TCO)及利用其的多层透明导电膜以及其制备方法。本发明的锰锡氧化物类透明导电氧化物具有MnSnO(0＜x≤0.055)的组成。并且，本发明的多层透明导电膜包括：锰锡氧化物类透明导电氧化物，具有MnSnO(0＜x≤0.055)的组成；金属薄膜，层叠于上述锰锡氧化物类透明导电氧化物上；以及锰锡氧化物类透明导电氧化物，层叠于上述金属薄膜上，具有MnSnO(0＜x≤0.055)的组成。
申请人：韩国科学技术研究院
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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