无源器件技术规范.

QB-A-035-2011

中国移动无源器件技术规范

China Mobile Passive Device Technical Requirement

版本号：1.0.0

22011-12-30实施 011-12-30发布

中国移动通信集团公司 发布

QB-A-035-2011

目 录

1. 范围........................................................................................................................................... 1 2. 规范性引用文件 ....................................................................................................................... 1 3. 术语、定义和缩略语 ............................................................................................................... 1 3.1 术语 .............................................................................................................................. 1 3.2 定义 .............................................................................................................................. 2 3.3 缩略语 .......................................................................................................................... 2 4 技术要求 ................................................................................................................................... 3 4.1 电气性能要求 .............................................................................................................. 3 4.1.1 腔体功分器 .................................................................................................................. 3 4.1.2 腔体定向耦合器 .......................................................................................................... 3 4.1.3 腔体3dB电桥 .............................................................................................................. 4 4.1.4 合路器 .......................................................................................................................... 5 4.1.5 衰减器 .......................................................................................................................... 7 4.1.6 负载 .............................................................................................................................. 8 4.2 平均故障间隔时间（MTBF） ...................................................................................... 9 4.3 机械要求 ...................................................................................................................... 9 4.4 器件标签要求 .............................................................................................................. 9 4.5 工艺和材料要求 ........................................................................................................ 10 4.5.1 腔体功分器、腔体定向耦合器、腔体电桥 ............................................................ 10 4.5.2 合路器 ........................................................................................................................ 11 4.5.3 衰减器、负载 ............................................................................................................ 12 4.5.4 简易检测方法（到货检测） .................................................................................... 13 4.6 环境试验要求 ............................................................................................................ 14 4.6.1 环境适应性要求 ........................................................................................................ 14 4.6.2 环境测试项 ................................................................................................................ 14 4.6.2.1 高温实验 .................................................................................................................... 14 4.6.2.2 低温实验 .................................................................................................................... 15 4.6.2.3 振动实验 .................................................................................................................... 15 4.6.2.4 恒定湿热 .................................................................................................................... 15 4.6.2.5 盐雾 ............................................................................................................................ 15 5 室分器件分级选用的分析及建议 ......................................................................................... 15 6 编制历史 ................................................................................................................................. 16 附录A：36dBm工程分级功率点的推导 ....................................................................................... 16

I

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前 言

本标准定义了无源器件的技术要求。

本标准主要包括无源器件的指标等方面内容。

本标准是《中国移动无源器件设备规范》系列标准之一，该系列标准的结构、名称或预计的名称如下：

序号 标准编号 标准名称 [1] QB-A-035-2011 中国移动无源器件技术规范 [2] QB-A-036-2011 中国移动无源器件测试规范 本标准需与《中国移动无源器件测试规范》配套使用。 本标准附录A为资料性附录。 本标准由中移技﹝2011﹞363号印发。

本标准由中国移动通信研究院提出，集团公司技术部归口。 本标准起草单位：中国移动通信研究院 本标准主要起草人：张俪、王大鹏、程广辉

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1. 范围

本标准规定了无源器件的技术要求，供中国移动和厂商共同使用。适用于为中国移动室分系统所提供的各类功分器、耦合器、电桥、合路器、衰减器和负载研发、生产、出厂验收和入网测试的技术规定，其他同类产品也可遵照该规范的要求执行。

2. 规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准。

序号 标准编号 [1] / 标准名称 中国移动通信有限公司2010年干线放大器及无源器件产品集中采购技术规范书 发布单位 中国移动通信集团公司

3. 术语、定义和缩略语

下列术语、定义和缩略语适用于本标准。 3.1 术语

插入损耗 Insertion loss：通过无源器件，在有效工作带宽内引入的传输损耗。 中心频率 Center frequency：无源器件的工作发射支路（或接收支路）允许工作频率范围内的中心称为发射支路（或接收支路）的中心频率。

电压驻波比 VSWR (Voltage Standing Wave Ratio)：一般简称驻波比，无源器件或有源器件中，除信源的输入端（或输出端）以外的其他端口与标称阻抗负载相连接，信源的输入端（或输出端）电压的波峰和波谷的比值

带内波动（纹波）Inband Ripple：输出端口通带范围内最大信号和最小信号的差值。 标称阻抗 Impedance：RF 射频无源及有源器件在工作范围内各端口规定的电阻性阻抗。

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耦合度 Coupling degree：耦合支路与通路信号强度的差值。

幅度平衡Amplitude Balance：等分定义端口之间的插入损耗的差值，用dB 表示。 抑制度 Suppression：合路器的收发支路之间信号进入的抑制程度。

最大输入功率 Maximum input power：无源器件正常工作时输入端口所允许的最大输入平均功率。

峰值输入功率Peak-peak input power：无源器件正常工作时发射端口所允许的最大峰值输入功率。 3.2 定义

功分器（Power Distributer）：将功率平均分配到各个分路上去的无源器件,具有一个输入和两个或多个输出端口，用于分布系统链路分支时的节点连接。以微带线作为传输线的功分器为微带功分器，以腔体同轴线作为传输线的功分器为腔体功分器。 定向耦合器(directional Coupler)：定向耦合器是一种通用的微波/毫米波部件，可用于信号的隔离、分离和混合，如功率的监测、源输出功率稳幅、信号源隔离、传输和反射的扫频测试等。主要技术指标有方向性、驻波比、耦合度、插入损耗。定向耦合器由传输线构成，同轴线、矩形波导、圆波导、带状线和微带线都可构成定向耦合器。

3dB电桥(3dB Hybrid)：3dB电桥也叫同频合路器，它能够沿传输线路某一确定方向上对传输功率连续取样，能将一个输入信号分为两个互为等幅且具有90°相位差的信号。主要用于多信号合路，提高输出信号的利用率，广泛应用室内覆盖系统中对基站信号的合路，在这种场所运用效果很好。

合路器（Combiner）：把两路或多路功率信号合并到单个通路上去的无源器件,具有两个或多个输入和一个输出端口。

衰减器（Attenuator）：具有不同的衰减量值无源器件，用于分布系统延伸链路尾端与天线辐射输出的额定覆盖功率电平的适配。

负载（Load）：用于分布系统延伸链路中的分支节点或检测点口的终接。 3.3 缩略语

词语 解释

CW continuous wave 连续波

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4 技术要求

4.1 电气性能要求 4.1.1 腔体功分器

随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带功分器已不能满足要求，近年来业界用腔体功分器取代微带功分器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的功分器全部定义为腔体功分器。

根据分布系统的节点支路的要求，又分为腔体二功分器、腔体三功分器和腔体四功分器，其指标要求如表1所示：

表1 腔体功分器常温电性能指标

腔体功分器常温电性能指标 指标\\规格 工作频段 总插入损耗（分配损耗+插入损耗）/dB 输入端口驻波比 带内波动(峰峰值)/dB 输入口 反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上型 单系统总功率36dBm以下型 （N型头） 单系统总功率36dBm及以上型 功率容量 单系统总功率36dBm以下型 （N型头） 三阶 五阶 三阶 五阶 均值 功率 均值 功率 ≤3.3 ≤1.25 ≤0.3 二功分器 三功分器 800-2500MHz ≤5.2 ≤1.25 ≤0.45 ≤6.5 ≤1.3 ≤0.55 四功分器 ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) ≤-145dBc(+43dBm×2) ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） ≥200W² （1×200W EDGE载波，GSM900下行频段） 注：

1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW； 2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。 4.1.2 腔体定向耦合器

随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满足要求，近年来业界用腔体耦合器取代微带耦合器的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的耦合器全部定义为腔体定向耦合器。

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表2 耦合器常温电性能指标 耦合度30dB以下耦合器常温电性能指标 指标\\耦合度规格 工作频段 总插入损耗（含分配损耗）/dB 隔离度 耦合度偏差/dB 驻波比 单系统总功率 36dBm及以上型 单系统总功率 36dBm以下型 （N型头） 单系统总功率 36dBm及以上型 功率容量 单系统总功率 36dBm以下型 （N型头） 三阶 五阶 三阶 五阶 均值 功率 均值 功率 2.15 ≥23 1.76 ≥24 5dB 6dB 7dB 1.47 ≥25 10dB 0.96 ≥28 ±1 15dB 0.44 ≥33 ±1 20dB 0.34 ≥38 ±1 800-2500MHz ±0.6 ±0.6 ±0.6 1.25 ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) ≤-145dBc(+43dBm×2) ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） ≥200W² （1×200W EDGE载波，GSM900下行频段） 输入口反射 互调抑制

耦合度30dB及以上耦合器常温电性能指标 指标\\耦合度规格 工作频段 总插入损耗（含分配损耗）/dB 隔离度 耦合度偏差/dB 驻波比 输入口反射 互调抑制 功率容量 单系统总功率 36dBm及以上型 单系统总功率 36dBm及以上型 三阶 五阶 均值 功率 0.3 ≥48 ±1 1.25 ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） 30dB 800-2500MHz 0.3 ≥55 ±1.5 40dB 注：

1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW； 2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。 4.1.3 腔体3dB电桥

随着现网对室分器件功率承受能力需求越来越大，很多场景下，微带器件已不能满

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足要求，近年来业界用腔体电桥取代微带电桥的趋势也越来越明显。所以本次企标中将室分无源器件的3dB电桥全部定义为腔体3dB电桥。

表3腔体3dB电桥常温电性能指标

腔体3dB电桥常温电性能指标 指标\\规格 工作频段 插入损耗（含分配损耗）/dB 驻波比 隔离度/dB 带内波动(峰峰值)/dB 反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上型 三阶 五阶 均值 功率 3dB电桥 800-2500MHz ≤3.5 ≤1.3 ≥23 ≤0.5 ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900下行频段） 功率容量 单系统总功率36dBm及以上型 注：

1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW； 4.1.4 合路器

表4 合路器类型1-4 合路器常温电性能指标 指标\\规格 GSM/DCS合路器 （双路） 通路1: 8-9MHz 通路2: 1710-1830MHz ≤0.6 ≤1.3 ≤0.5 通路1:≥80 通路2:≥80 三阶 五阶 三阶 五阶 GSM/WLAN合路器 （双路） 通路1: 8-9MHz 通路2: 2400-2483.5MHz ≤0.6 ≤1.3 ≤0.5 通路1:≥80 通路2:≥80 GSM&DCS/WLAN合路器 （双路） 通路1: 8-9MHz 1710-1830MHz 通路2: 2400-2483.5MHz ≤0.6 ≤1.3 ≤0.5 通路1:≥80 通路2:≥80 WLAN ch1/WLAN ch11合路器 通路1: 2401- 2423MHz 通路2: 2451-2473MHz ≤1.2 ≤1.3 ≤0.8 通路1:≥80 通路2:≥80 工作频段 插入损耗/dB 驻波比 带内波动(峰峰值)/dB 带外抑制/dB 单系统总功率36dBm及以上型 ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) ≤-145dBc(+43dBm×2) 5

输入端口反射互调抑制 单系统总功率36dBm以下型（N型头） 不作要求 QB-A-035-2011

单系统总功率36dBm及以上型 功率容量 单系统总功率36dBm以下型（N型头） 均值 功率 均值 功率 ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900端口） ≥200W² （1×200W EDGE载波，GSM900端口） 不作要求 注：

1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW； 2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。

表5 合路器类型5-8 合路器常温电性能指标 GSM&DCS/TD F&TD A&TD E合路器 （双路） 通路1: 8-9MHz 1710-1830MHz 通路2: 1880-2025MHz 2300～2400MHz GSM/DCS/TD F&TD A&TD E合路器 （三路） 通路1: 8-9MHz 通路2: 1710-1830MHz 通道3: 1880-2025MHz 2300～2400MHz GSM&DCS/TD F&TD A/TD E合路器 （三路） GSM&DCS&TD F&TD A&TD E/WLAN合路器 （双路） 指标\\规格 工作频段 通路1: 通路1: 8-9MHz 8-9MHz 1710-1830MHz 1710-2025MHz 通道2: 2300-2380MHz 1880-2025MHz 通路2: 通路3: 2400-2500MHz 2300-2400MHz ≤0.6（8-2025MHz）； ≤1.5（2300-2500MHz） ≤1.3 插入损耗/dB ≤0.6 ≤0.6 ≤0.8 驻波比 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3 带内波动(峰峰值)/dB ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5（8-2025MHz） ； ≤1.2（2300-2500MHz） 通路1:≥80 通路2:≥90（WLAN通路对其它频段的抑制值） 带外抑制/dB 通路1:≥80 通路2:≥80 三阶 五阶 三阶 五阶 通路1:≥80 通路2:≥80 通路3:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80 通路3:≥80 输入端口反射互调抑制 单系统总功率36dBm及以上型 单系统总功率36dBm以下型（N型头） ≤-140dBc(+43dBm×2) ≤-155dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) ≤-145dBc(+43dBm×2) 6

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单系统总功率36dBm及以上型 功率容量 单系统总功率36dBm以下型（N型头） 均值功率 均值功率 ≥200W¹ （4×50W EDGE载波，GSM900端口） ≥200W² （1×200W EDGE载波，GSM900端口） 注：

1、此类使用在单系统总功率36dBm及以上的器件功率容量测试，采用4×50W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围约为1-1.3KW； 2、此类使用在单系统总功率36dBm以下的器件功率容量测试，采用 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率约为400W。 4.1.5 衰减器

表6 50W、100W、200W衰减器¹

衰减器常温电性能指标 功率等级 衰减度规格 工作频段 衰减度误差/dB 带内波动(峰峰值)/dB 驻波比 输入口 反射互调抑制 功率容量 三阶 五阶 均值功率 ±0.4 ≤0.3 ±0.4 ≤0.5 3dB 6dB 50W、100W、200W 10dB ±0.6 ≤0.7 15dB ±0.6 ≤0.8 20dB ±0.8 ≤1.0 30dB ±0.8 ≤1.0 800-3000MHz ≤1.2 ≤-105dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) 50W、100W、200W² （1×标称功率EDGE载波，GSM900频段） 注： 1、 此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下； 2、 此类器件功率容量测试，采用：

1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W 1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W

表7 5W、25W衰减器 衰减器常温电性能指标 功率等级 衰减度规格 工作频段 衰减度误差/dB 带内波动(峰峰值)/dB 驻波比 ±0.4 ≤0.3 ±0.4 3dB 6dB 5W、25W 10dB ±0.6 15dB ±0.6 ≤0.8 1.2 20dB ±0.8 30dB ±0.8 800-3000MHz ≤0.5 ≤0.7 ≤1.0 ≤1.0 7

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反射互调 三阶 五阶 均值功率 ≤-120dBc(+33dBm×2) ≤-145dBc(+33dBm×2) 5W、25W¹ （1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段）· 注： 1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：

1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W 1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W 4.1.6 负载

功率容量 表8 50W、100W、200W负载¹

负载常温电性能指标 功率规格 工作频段 特性阻抗/欧姆 驻波比 反射互调抑制 三阶 五阶 均值功率 50W、100W、200W 800-3000MHz 50 1.2 ≤-105dBc(+43dBm×2) ≤-120dBc(+43dBm×2) 50W、100W、200W² （1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段） 注：

1、 此类器件建议使用在对于互调指标要求不高的特殊场景下； 2、 此类器件功率容量测试，采用：

1×50W EDGE载波,均值功率为50W，峰值功率范围为100W 1×100W EDGE载波,均值功率为100W，峰值功率范围为200W 1×200W EDGE载波,均值功率为200W，峰值功率范围为400W

表9 负载 5W/25W 负载常温电性能指标 指标\\功率规格 工作频段 特性阻抗/欧姆 驻波比 反射互调 三阶 五阶 均值功率 5W、25W 800-3000MHz 50 1.2 ≤-120dBc(+33dBm×2) ≤-145dBc(+33dBm×2) 5W、25W¹ （1×标称功率 EDGE载波，GSM900频段） 注： 1、此类器件建议使用在单系统总功率33dBm以下的应用场景，功率容量测试，采用：

功率容量 功率容量 8

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1×5W EDGE载波,均值功率为5W，峰值功率范围为10W 1×25W EDGE载波,均值功率为25W，峰值功率范围为50W 4.2 平均故障间隔时间（MTBF）

室温条件下MTBF应大于10万小时。 4.3 机械要求

提供的产品应采用经过老化测试和严格筛选的优质器件。硬件的组装过程应有严格的质量控制，确保长期使用的高稳定性和高可靠性。

4.4 器件标签要求

器件外壳显著位置必须具有标签或铭牌，其上必须标明：厂家名称、产品类别、产品型号、生产日期、规格（含工作频段、耦合度、衰减器衰减值、单系统总功率36dBm及以上型/单系统总功率36dBm以下型）等。标签或铭牌须考虑长期使用可靠性，不得损坏或脱落。

单系统总功率36dBm及以上型器件，标签采用黑底白字，并标明“单系统总功率36dBm以上型”字样。

单系统总功率36dBm以下器件，标签采用白底黑字，并标明“单系统总功率36dBm以下型”字样。

负载和衰减器全部采用白底黑字标签。

合路器须在各输入口除了标识频段名称（如：GSM）之外，还需要标明该端口通带起止频率（如：8-9MHz）。

电桥须将IN和OUT口标识明显，安装、使用时不得损坏、脱落。 模板实例如下（条目齐全即可，格式不限）。

表10 标签实例

条目 厂家名称 产品类别 产品型号 序列号 举例 ××× 耦合器 ×××-××× ×××××× 9

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生产日期 规格 2011年×月 800-2500MHz 30dB耦合 单系统总功率36dBm及以上型 PIM3：×××；PIM5：××× 4.5 工艺和材料要求

注：

1．合路器作为多系统信源合路的重要节点，除了对产品的性能指标有要求外，还对其长期可靠性和使用寿命有较高要求，因此各款合路器的工艺和材料要求均按高品质型（应用于单系统总功率36dBm以上）统一要求。

2. 衰减器和负载由于目前行业水平未具备实现高品质型产品的批量生产能力，也无法提出对应的工艺和材料要求，因此3.5.3节仅按目前业界最优方案对普通型（应用于单系统总功率36dBm以下）产品进行要求。

4.5.1 腔体功分器、腔体定向耦合器、腔体电桥

表11（单系统总功率36dBm以下型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求 产品 腔体功分器 材料 腔体、内导体采用金属材质 表面处理 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 工艺要求 表面光洁无毛刺 接头 其它 --- 内导体采用金属材质； 腔体与盖板不可采用削切钢材质（下图为削切内导体内表面钢材质，不可采用类似需做表面处理耦合器 工艺设计） （电镀或者导电氧化） 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 腔体 电桥 内导体空气导带采用金属材质； 腔体、盖板采用金属材质。 内导体需做电镀处理 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 Female接头外导体不可采用铝材和锌合金； 内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 不可采用贴片电阻 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧 10

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表12（单系统总功率36dBm及以上型）腔体功分器、耦合器、腔体电桥工艺材料要求 产品 腔体功分器 材料 内导体采用黄铜或铝合金； 腔体采用铝合金。 表面处理 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 工艺要求 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 表面光洁无毛刺，结构件紧固连接，焊点光亮整洁 接头 其它 内导体采用黄铜或铝合金； 耦合器 腔体采用铝合金； 盖板采用铝合金。 内导体空气导带采用黄铜或铝合金； 腔体采用铝合金； 盖板采用铝合金。 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 腔体电桥 内导体与腔体内表面先镀铜后镀银 Female接头外导体采用黄铜，镀三元合金； 内导体采用铍青铜或磷青铜，需镀银。 --- 大功率厚膜陶瓷电阻 结构要求：输入端口在同侧，输出端口在同侧 整体结构要求 1、 功分器、耦合器、电桥整体结构要求密闭性程度高，腔体整体无缝隙，内导体及腔体内表面不受空气氧化； 2、 接头法兰盘螺钉要求固定在腔体的同一结构件中（优选）¹ 注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。 4.5.2 合路器

表13（单系统总功率36dBm以下型）合路器工艺材料要求

部件 材料 表面处理 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 内导体内表面需做表面处理（电镀或者导电氧化） 表面先镀铜后镀银 镀银 镀银 工艺要求 表面光洁无毛刺，无裂痕 备注 腔体 腔体采用铝合金 盖板 盖板采用铝合金 表面光洁无毛刺，无裂痕 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（如进行温度补谐振柱 偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） 调谐杆 调谐杆采用黄铜 端口抽头 接头 连接导线采用黄铜 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固 表面光洁无毛刺 连接导线表面无光洁， 整形弯曲规整，无乱搭 外导体受力稳固，内导体受力不转动 如接头为Female形式：外导体镀三元外导体采用黄铜（接头合金； 11

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与合路器腔体一体化设计的情况除外）； 内导体采用铍青铜或磷青铜 内导体镀银

表14（单系统总功率36dBm及以上型）合路器工艺材料要求

部件 腔体 盖板 材料 腔体采用铝合金 盖板采用铝合金 表面处理 内表面先镀铜后镀银 内表面先镀铜后镀银 工艺要求 表面光洁无毛刺，无裂痕 表面光洁无毛刺，无裂痕 备注 谐振柱材料采用黄铜或铝合金（优选）（如进谐振柱 行温度补偿采用其它材料需满足可靠性及寿命要求） 调谐杆 调谐杆采用黄铜 表面先镀铜后镀银 表面光洁无毛刺，与腔体连接稳固，与盖板间 距离＞1.0mm（优选）¹ 表面光洁无毛刺，与其它结构件间距离＞3.0mm （优选）¹ 镀银 端口抽头 连接导线采用黄铜 镀银 连接导线表面无光洁，整形弯曲规整，无乱搭， 与腔体表面间距离＞1.5mm （优选）¹ 接头 如接头为Female形式：外导体采用黄铜（接头外导体镀三元与合路器腔体一体化设合金； 计的情况除外）； 内导体镀银 内导体采用铍青铜或磷青铜 外导体受力稳固，内导体受力不转动 注：1、优选项作为推荐的优选方式，不作为硬性要求。 4.5.3 衰减器、负载

表15衰减器、负载工艺材料要求

部件 材料 表面处理 如带有散热器，则需进行表面防腐处理，建议导电氧化 工艺要求 备注 散热器 铝合金 表面光洁无毛刺，结构件连接稳固 12

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内置安装管 衰减片/吸收负载 铝合金 先镀铜后镀银 结构件连接稳固，接地良好 结构件连接稳固，散热接地良好 氧化铍 -- 接头 如接头为Female形式：外导体镀三元外导体采用黄铜； 合金； 内导体采用铍青铜或磷内导体镀银 青铜 外导体受力稳固，内导体受力不转动 4.5.4 简易检测方法（到货检测）

项目 材料 检测方法 1、通过对内导体进行用砂纸进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金； 2、PCB微带板和腔体的设计方案可直接通过观察判别。 微带电桥 腔体电桥 表面处理 1、铜材可以直接在表面进行镀银； 2、铝合金材质则需要先在表面进行镀铜后才可以镀银处理； 3、镀银表面呈银白色，镀铜表面呈黄色，不做任何电镀处理的为金属原色。 工艺要求 1、表面工艺明显毛刺点等可以通过观察判断，另可以选工艺优秀样品做为基准对比； 2、焊点光亮、整洁、无虚焊，无松香残留。 接头 1、接头外导体材质可以通过砂纸等进行摩擦，若粉末为黄色为黄铜，白色为铝材或合金； 2、内导体插拔次数满足200次后，电气性能指标依然合格。 其它 1、 厚膜陶瓷电阻与贴片电阻有明显区别，可以肉眼判断。 贴片电阻 厚膜陶瓷电阻 13

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4.6 环境试验要求 4.6.1 环境适应性要求

环境条件

工作温度：-20～55 ℃

工作湿度≤95％（温度40℃±2℃） 大气压力：70～106kPa 储存温度：-55℃ to +85℃

4.6.2 环境测试项

常温下的目检及电性能测试正常的器件，进行环境测试。不同的器件在环境实验时，进行不同电性能指标的测试，具体见下表：

表16 无源器件高低温试验检测项目 器件名称 腔体功分器 腔体定向耦合器 腔体3dB电桥 合路器 衰减器 负载 高低温试验检测项目 在线测试 插损、驻波比 插损、驻波比 插损、驻波比 插损、驻波比、带内波动、带外衰减 衰减误差、驻波比 驻波比 中间测试 互调 互调 互调 互调 互调 互调 恢复常温后测试 外观检查 外观检查 外观检查 外观检查 外观检查 外观检查 注：中间测试是指仅仅将单独器件进行环境试验，不连接测试系统，环境试验完成后快速将器件取出，连接测试系统进行测试。

表17 无源器件振动试验检测项目

器件名称 腔体功分器 腔体定向耦合器 腔体3dB电桥 合路器 衰减器 负载 4.6.2.1

高温实验

完成振动后测试项目 外观检查、插损、驻波比、互调 外观检查、插损、驻波比、互调 外观检查、插损、驻波比、互调 外观检查、插损、驻波比、带内波动、带外衰减、互调 外观检查、衰减误差、驻波比、互调 外观检查、驻波比、互调 试验条件：+55℃ 测试要求：

1） 须符合3.1节中各器件电性能要求

2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，

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此外若出现脆化、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。） 4.6.2.2

低温实验

试验条件：-20℃ 测试要求：

1） 须符合3.1节中各器件电性能要求

2）恢复常温后，取出，检查器件外观是否符合要求（外表面是否有变色或脱漆现象，此外若出现脆化、结冰、开裂、粘度增大和固化、机械强度降低、物理性收缩、绝缘损坏、密封失效等肉眼可识别的物理损坏也判定为不通过。） 4.6.2.3

振动实验

试验温度：室温；

振动频率：10-30、30-55Hz； 扫频速率：系统默认；

振幅峰峰值：1.5mm、0.75mm； 振动方向：XYZ轴；

振动时间：XYZ轴每个方向0.5h。 测试要求：

1） 结束振动后，取出，检查器件表面和内部是否有配件掉落 2） 进行典型测试，须符合3.1节中各器件要求 4.6.2.4

恒定湿热

按照各省份实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告。 4.6.2.5

盐雾

按照各省份实际需求测试或请供应方提供每批次检测报告。

5 室分器件分级选用的分析及建议

一般情况下，“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近信源的位置，“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近室分天线的位置。

为了确保室分系统的质量：

1）室分系统设计时，建议设计人员除计算GSM BCCH功率外，再根据本站点各通信系统信源的总功率进行计算，在适当的位置选用相应品质等级的室分器件，并在图纸上标注清楚。考虑到后续扩容需求，信源功率的取值可采用简化模型并保留一定的余量，例如全部采用GSM 8载波功率进行室分链路设计，在本规范4.1节各表格中要求的功率分界点（单系统总功率为36dBm）两侧采用不同类型的器件。

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2）室分系统施工时，施工人员应严格遵照设计图纸中的要求选择适当类型的室分器件进行安装。

3）室分系统维护或改造时，可根据信源功率计算，或使用便携式频谱仪进行简单的功率测试，来判断该处应使用何种等级的室分器件；如不能确定该室分点的功率时，即应采用高品质器件。

6 编制历史 版本号 1.0.0 更新时间 2011年9月5日 主要内容或重大修改 规定了无源器件的技术要求. 针对互调和功率容量等指标进行了修订，对不同功率节点上使用的器件进行了分别的指标定义，并添加了工艺检测及环境测试等内容。 1.0.0版本；编号：QB-A-035-2011

附录A：36dBm工程分级功率点的推导

假设典型场景下，如上图所示，基站下行输出功率为46dBm（2×43dBm，即指2个43dBm的载波，下同），到达高品质器件和普通品质器件交界点处时，室分路径损耗为L dB。

由于我公司GSM900分配频段的特征，这里仅考虑5阶互调即可。根据本规范指标，在输入功率为2×43dBm的情况下，普通型功分器、耦合器等无源器件的5阶互调指标为-145dBc，即 互调产物为43 – 145 = -102dBm。但由于输入功率下降至2×43 – L，理论上5阶互调产物将比-102dBm低5L dB，但根据实测数据统计，5阶互调仅降低2.5L左右，因此在第一级普通品质器件的输入口产生的反射型五阶无源互调为

（43 – 145）- 2.5L （dB）

由于此结果是基于2载波的情况所得，当载波容量增加时，互调产物也会大幅增加，即产生群互调效应。根据实测经验值，当载波数为8～12时，群互调会导致互调产物约增加20dB左右，因此最恶劣情况下，多载波在普通品质器件处产生的互调产物为

（43 – 145）- 2.5L +20 （dB）

根据上图中的典型场景，从器件到基站接收口的室分插损衰减典型值为L dB， 则在第一级普通品质器件输入口产生的五阶无源互调传输至基站接收口时，将再次衰减L dB，即

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（43 – 145）- 2.5L +20 – L （dB）

假设原系统底噪为集团定义的0级干扰-110dBm，则根据3GPP标准中的通用规则，外系统干扰功率需低于底噪7dB，即干扰容限为-117dBm。因此可以得到下面的不等式：

（43 – 145）- 2.5L +20 – L ≤ - 117

解得L ≥10dB，因此高品质器件和普通品质器件交界点处的单系统总功率为

2×43dBm – L = 2×33dBm = 36dBm

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