专利名称：氢化碳薄膜专利类型：发明专利发明人：R·L·怀特申请号：CN98103656.2申请日：19980116公开号：CN1192023A公开日：19980902
摘要：利用氢化碳薄膜变化的特性,例如低氢含量下可获得好的附着力,中等氢含量下可获得高的硬度,和高氢含量的低表面能,来优化磁盘上的氢化碳薄膜保护层的各层或区域的氢含量。在一个实施例中,以这样的溅射氢化碳薄膜涂敷在磁盘上,即此薄膜有氢浓度梯度,在向着膜表面方向上浓度增加。第二实施例使用两层,其中底层氢含量低于表面层。第三实施例使用三层薄膜结构,在底层有最小氢化程度,在中间层有中间氢化程度和在顶层有高氢化程度。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- 69lv.com 版权所有 湘ICP备2023021910号-1
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务