最新发现与创新：我国集成电路核心装备研发取得重大突破

¨　・－＿资讯Ｔ薯ｏ¨　　Ｉ　ｎ＇ｆｏ￣ａｔ　ｉ　ｏ　ｎ　最新发现与创新：我国集成电路核心装备研发取得重大突破　９月２８日．国家８６３计划集成电路制造装备重大专项“１００纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机“，通过　科技部与北京市组织的项目验收。业主企业北京北方微电子公司和北京中科信公司与我国最大的集成电路工厂中芯国际公　司分别签订刻蚀机和离子注入机的批量采购合同。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售．标志着我国　集成电路制造核心装备研发取得重大突破。中共中央政治局委员，北京市委书记刘淇．科技部部长徐冠华．科技部副部长　马颂德出席签字仪式。　这两种设备的研制成功．使我国高端集成电路核心设备技术水平跨越了５代。更为重要的是．这两种设备的技术水平　基本与我国集成电路制造业主流技术水平更新同步．使未来２－３年我国集成电路制造业从１　８０纳米向１　３０和９０纳米升级　时可以使用上国产装备．有助于扭转我国集成电路制造装备受制于人的局面．对我国集成电路制造装备的自主创新能力和　核心竞争力具有重要的战略意义。　集成电路装备业已成为高技术装备产业的典型代表。据预测．到２０１０年．我国集成电路产业投资累计将达到３５００亿　元．其中大部分将用于集成电路制造装备投资　这一趋势使得中国市场正在成为全球集成电路制造装备业竞争的焦点。　“十五”期间．科技部在８６３计划中设立了“集成电路制造装备”重大专项。由北京市组织实施的“１００纳米８英寸多　晶硅刻蚀机和大倾角离子注入机”完成了产品研制．在大生产线进行了近一年的检验考核．设备技术指标达到国际同类　１　３０－１　００纳米生产设备标准。　（资料来源：科技部网站）　６４　Ｉ　Ｈｉ—ＴＥＣＨ中国高新技术　｛ｆ