专利名称：集成电路专利类型：实用新型专利发明人：A·马扎基
申请号：CN201720453260.3申请日：20170426公开号：CN207338365U公开日：20180508
摘要：一种集成电路包括第一导电类型的半导体衬底以及通过绝缘区域与衬底绝缘的第一导电类型的半导体阱，绝缘区域具有：第一绝缘沟槽，从衬底的第一面延伸到衬底中并且围绕阱；第二导电类型的半导体层，掩埋在阱下方的衬底中；中间绝缘区，被配置为确保第一绝缘沟槽与掩埋半导体层之间的电绝缘连续性，并且包括第二沟槽，第二沟槽具有围绕阱的外围部分，外围部分具有从衬底的第一面延伸同时与第一绝缘沟槽接触的第一部分，第一部分通过位于第一绝缘沟槽与掩埋半导体层之间的第二部分延伸，第二沟槽具有中央部分，中央部分被配置为导电并且被封闭在绝缘护套中，集成电路包括被配置为在中央部分上导电的第一触点以及被配置为在阱上导电的第二触点。
申请人：意法半导体(鲁塞)公司
地址：法国鲁塞
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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