专利名称：含硅薄膜的制造方法专利类型：发明专利
发明人：东名敦志,奈须野善之申请号：CN201280033941.4申请日：20120531公开号：CN103650169A公开日：20140319
摘要：本发明提供一种含硅薄膜的制造方法，其包括：基板的搬入工序（S101）、含硅薄膜的形成工序（S102）、基板的搬出工序（S103）、干洗工序（S104）、氟化物的还原工序（S105）、排气工序（S106）。在氟化物的还原工序（S105）中，将还原性气体供给到处理室内，直到排气工序（S106）完成时的处理室内的CF气体的分压变为A×（2.0×10）Pa以下。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：岳雪兰
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