5 ⼤规模数字集成电路习题解答 1⾃我检测题
[T5.1]在存储器结构中,什么是“字”?什么是“字长”,如何标注存储器的容量?
采⽤同⼀个地址存放的⼀组⼆进制数,称为字。字的位数称为字长。习惯上⽤总的位数来表⽰存储器的容量,⼀个具有n字、每字m位的存储器,其容量⼀般可表⽰为n×m。[T5.2]试述RAM和ROM的区别。
RAM称为随机存储器,在⼯作中既允许随时从指定单元内读出信息,也可以随时将信息写⼊指定单元,最⼤的优点是读写⽅便。但是掉电后数据丢失。
ROM在正常⼯作状态下只能从中读取数据,不能快速、随时地修改或重新写⼊数据,内部信息通常在制造过程或使⽤前写⼊,
[T5.3]试述SRAM和DRAM的区别。
SRAM通常采⽤锁存器构成存储单元,利⽤锁存器的双稳态结构,数据⼀旦被写⼊就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元,利⽤对电容器的充放电来存储信息,例如电容器含有电荷表⽰状态1,⽆电荷表⽰状态0。根据DRAM的机理,电容内部的电荷需要维持在⼀定的⽔平才能保证内部信息的正确性。因此,DRAM在使⽤时需要定时地进⾏信息刷新,不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。[T5.4]与SRAM相⽐,闪烁存储器有何主要优点?容量⼤,掉电后数据不会丢失。
[T5.5]⽤ROM实现两个4位⼆进制数相乘,试问:该ROM需要有多少根地址线?多少根数据线?其存储容量为多少?8根地址线,8根数据线。其容量为64×8。
[T5.6]⼀个ROM 共有10根地址线,8根位线(数据输出线),则其存储容量为。(A)10×8 (B)102×8 (C)10×82(D)210×8
[T5.7]为了构成4096×8的RAM,需要⽚1024×2的RAM。(A)8⽚(B)16⽚(C)2⽚(D)4⽚
[T5.8]哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失?(A)SRAM (B)UVEPROM (C)E2PROM (D)PAL[T5.9]关于半导体存储器的描述,下列哪种说法是错误的。(A)RAM读写⽅便,但⼀旦掉电,所存储的内容就会全部丢失(B)ROM掉电以后数据不会丢失(C)RAM可分为静态RAM和动态RAM(D)动态RAM不必定时刷新
[T5.10]PAL是⼀种的可编程逻辑器件。
(A)与阵列可编程、或阵列固定的(B)与阵列固定、或阵列可编程的(C)与、或阵列固定的(D)与、或阵列都可编程的习题
[P5.1]现有如图P5.1所⽰的4×4字位RAM若⼲⽚,现要把它们扩展成8×8字位5 ⼤规模数字集成电路习题解答 2
RAM。
(1)试问需要⼏⽚4×4字位RAM?
(2)画出扩展后电路图(可⽤少量门电路)。
图P5.1
解:(1)⽤4×4RAM扩展成8×8字位RAM时,需进⾏字数和位数扩展,故需要4⽚4×4的RAM(2)扩展后电路如图:
[P5.2]在微机中,CPU要对存储器进⾏读写操作,⾸先要由地址总线给出地址信息,然后发出相应读或写的控制信号,最后才能在数据总线上进⾏信息交流。现有256×4位的RAM⼆⽚,组成⼀个页⾯,现需4个页⾯的存储容量,画出⽤256×4组成1K×8位的RAM框图,并指出各个页⾯的地址分配。解:电路连接图如图所⽰。从左到右四个页⾯的地址为:000H~0FFH,100H~1FFH,200H~2FFH,300H~3FFH。5 ⼤规模数字集成电路习题解答 3
[P5.3]试⽤4×2字位容量的ROM实现半加器的逻辑功能,并直接在图P5.2中画出⽤ROM点阵图实现的半加法器电路。
图P5.3
5 ⼤规模数字集成电路习题解答4
A B i S iC ABi S iC
解:由于半加器的输出B A B A S i +=AB C i = 所以ROM 点阵图如图所⽰。
[P5.4]⽤EPROM 实现⼆进制码与格雷码的相互转换电路,待转换的代码由I 3I 2I 1I 0
输⼊,转换后的代码由O 3O 2O 1O 0输出。X 为转换⽅向控制位,当X =0时,实现⼆进制码到格雷码的转换;当X =1时,实现格雷码到⼆进制码的转换。试求:
(1)列出EPROM 的地址与内容对应关系真值表;
(2)确定输⼊变量和输出变量与ROM 地址线和数据线对应关系。 解:真值表为:X I 3 I 2 I 1 I 0 O 3 O 2 O 1 O 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 10 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 01 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 111
5 ⼤规模数字集成电路习题解答 5
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输⼊变量和输出变量与ROM 地址线和数据线对应关系如图所⽰:32×4 RAMD 3D 2D 1D 0A 0
A 1A 3A 2X A 4I 3I 2I 1I 0O 3O 2O 1O 0
[P5.5]试分析如图P5.5所⽰PLA 构成电路。写出F 1、F 2的逻辑表达式。
12图P5.5
解:C B A C AB C A F ++=15 ⼤规模数字集成电路习题解答 6C B A BC A F +=2
[P5.6]试分析如图P5.6所⽰电路。 (1)列出时序PLA 的状态表和状态图 (2)简述该时序PLA 的逻辑功能。
图P5.6
解:(1)根据电路图写出各触发器驱动⽅程
n n Q Q J 120+=,10=K
n Q J 01=,n n Q Q K 021+= n n Q Q J 012=,n Q K 12=(2)写出各触发器状态⽅程
n n n n n n n Q Q Q Q Q K Q J Q 010200000+=+= n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q K Q J Q 0120111111+=+= n n n n n n n n Q QQ Q Q Q K Q J Q 1201222222+=+=5 ⼤规模数字集成电路习题解答7(3)列出状态表
Q2n Q1n Q0n CP Q2n+1Q1n+1Q0n+10 0 0 ↓0 0 10 0 1 ↓0 1 00 1 0 ↓0 1 10 1 1 ↓ 1 0 01 0 0 ↓ 1 0 11 0 1 ↓ 1 1 01 1 0 ↓0 0 01 1 1 ↓0 0 0(4)状态转换图
(5)功能:同步七进制加法计数器。
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