形成氮氧化硅的方法

来源：六九路网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200310108409.7 （22）申请日 2003.11.05

（71）申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

（10）申请公布号 CN16147A （43）申请公布日 2005.05.11

（72）发明人汪钉崇

（74）专利代理机构上海隆天新高专利商标代理有限公司

代理人谢晋光

（51）Int.CI

H01L21/314;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

形成氮氧化硅的方法

（57）摘要

一种形成氮氧化硅的方法，特别是形成具

有稳定薄膜特性的氮氧化硅DARC(dielectric antireflective coating)薄膜的方法，其特征在于包含下列步骤：步骤1.通入N

法律状态

法律状态公告日

2005-05-11

公开

法律状态信息

公开

法律状态

法律状态公告日

2005-05-11 2005-07-13 2005-07-13 2007-02-07 2007-02-07 2012-01-11 2012-01-11 2019-10-29

法律状态信息

公开

实质审查的生效实质审查的生效授权授权

专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效实质审查的生效授权授权

专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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