专利名称：功率MOSFET及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：朱馥钰,郑志昌,林东阳,柳瑞兴申请号：CN201310084295.0申请日：20130315公开号：CN103928514A公开日：20140716
摘要：提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第一漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的一部分，可以同时形成第一漂移区和第二漂移区。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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