专利名称：涂覆方法专利类型：发明专利发明人：孙雪菲
申请号：CN201610081266.2申请日：20160204公开号：CN105607427A公开日：20160525
摘要：本发明公开了一种涂覆方法。该方法包括：通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分；向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应。本发明提供的涂覆方法中，通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了基片的加热和冷却过程，从而缩短了工艺时间。
申请人：京东方科技集团股份有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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