一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置[实用新型专利]

来源：六九路网

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专利名称：一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置专利类型：实用新型专利发明人：朱仁德,刘旭峰申请号：CN200820109320.0申请日：20080718公开号：CN201224778Y公开日：20090422

摘要：本实用新型属于一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有上下端开口的导流筒，导流筒由导流内筒和导流外筒所组成，导流内筒呈倒圆锥形，导流外筒呈圆筒形，导流外筒下周边向内收缩与导流内筒外周边连成一体，导流内筒上周边与导流外筒上周边连成一体并卡固在下保温盖上，导流内筒和导流外筒之间设有隔热材料层。本实用新型能有效保证炉膛内两种温度的互相衔接，可大幅度提高炉膛内晶体生长速度，还有提高硅晶质量，降低制作成本的优点。

申请人：北京天能运通晶体技术有限公司

地址：100034 北京市西城区德胜门外大街11号C座3室

国籍：CN

代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：闫立德

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