专利名称：一种多通道低电容瞬态电压抑制器件专利类型：实用新型专利发明人：周源,马林宝
申请号：CN201420860277.7申请日：20141230公开号：CN204348721U公开日：20150520
摘要：本实用新型涉及一种多通道低电容瞬态电压抑制器件。该器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的外延层，形成在半导体衬底和外延层之间的埋层区，和形成在所述外延层中并延伸至衬底的隔离区。该器件进一步包括TVS管，包括形成在隔离区中的基区和形成在该基区中的发射区；至少一个第一二极管，每一第一二极管包括形成在埋层区上外延区中的扩散区、形成在该扩散区中的发射区，以及形成在所述埋层区上外延区中的基区；至少一个第二二极管，每一第二二极管包括形成在隔离区中的基区，以及形成在外延区中的发射区，以及形成在半导体衬底另一侧上的第一电极，形成在外延层表面上用于形成所述瞬态电压抑制器件的金属布线层。
申请人：北京燕东微电子有限公司
地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号北京燕东微电子有限公司
国籍：CN
代理机构：北京正理专利代理有限公司
代理人：张雪梅
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